闻泰科技：自研IGBT产品已流片成功，各项参数均达到设计要求

3月9日下午，闻泰科技发布公告称，旗下全资子公司 Nexperia B.V.（“安世半导体”）于 2021 年设立了中国研究院，专注高压功率器件、模拟 IC 等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate BipolarTransistor ，以下简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。

资料显示，IGBT 是电源转换的核心器件，也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点，并拥有广泛的应用市场，主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、大功率电源、工业控制、家电产品等领域。其市场空间大、技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累，是半导体里的优质赛道。

闻泰科技表示，IGBT 流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性。

值得一提的是，去年7月，闻泰科技旗下安世半导体收购的英国晶圆代工厂Newport Wafer Fab就具有用于汽车行业的MOSFET、IGBT芯片，以及CMOS、模拟芯片开发制造能力。

编辑：芯智讯-林子