总投资近16亿元!乾照光电VCSEL、高端LED芯片项目正式开工

6月12日,乾照光电投资近16亿元的半导体研发生产项目在厦门翔安区举行了项目开工奠基仪式。

此前公告显示,乾照光电于2018年11月宣布拟出资15.97亿元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目,由公司全资子公司厦门乾照半导体科技有限公司负责承办。

项目投产后,预测达产后年销售收入96,628.29 万元,达产年利润总额23,690.91万元,达产年投资利润率17.71%,投资利税率18.63%,全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%;投资回收期6.01年。

乾照光电表示,砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产,技术含量高;在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛,而相关国内厂商稀缺,国家正大力支持该行业的迅速发展。

用砷化镓制作的器件,具有高频、高速和光电性能,主要用于通信产业。而第三代的材料氮化镓属于宽禁带半导体材料,以其宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移率、化学性能稳定等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

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