得碳化硅者得天下？华为投资第三代半导体材料公司

经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始备受追捧，其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。

目前半导体技术领先的国家和企业都纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。而华为近日也在被曝光在该领域进行了投资。

根据天眼查显示，华为旗下的哈勃科技投资有限公司，近日投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。据悉，山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。

山东天岳公司官网显示，该公司成立2011年12月，是全球第4家碳化硅衬底材料量产的企业，同时具备了导电型和高纯半绝缘两种工艺，尺寸覆盖2-6英寸。2016年，山东天岳“宽禁带功率半导体产业链项目”被国家发展改革委纳入《国家集成电路“十三五”重大生产力布局》项目。

此外，山东天岳是国家工信部主管的“中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟”理事长单位，建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站和2个省级研发平台，在海外设有4个研发中心，拥有60余人研发团队，先后承担20余项国家、省部级课题。

据公开资料显示，以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，今后可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域，并被列入《国家中长期科学和技术发展规划纲要》，在今后国民经济的发展中占有重要地位。

华创证券认为，“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后，将打破国外垄断，推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。

此前，不少国际公司都在碳化硅领域进行投资。例如，英飞凌1.39亿美元收购了初创企业Siltectra，进一步进军碳化硅市场，另外，X-Fab、三菱、意法半导体等企业也宣布将开发更多的碳化硅功率器件。

但从差距上看，我国在碳化硅领域还没有形成完整的产业，国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口，形成国际大厂垄断局面。

在碳化硅材料方面，国内仅有少数几家从事碳化硅衬底材料和外延材料的研发工作。而在碳化硅功率器件方面，虽然清华大学、中国科学院等都有此类器件的课题研究，但主要是理论研究及实验室的研究成果。不过，国内产业正在努力赶超外国碳化硅产业。在产业链方面包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节近期也取得了新的进展。

对于华为来说，材料领域的部署一直是战略投资中重要的一环。

2015年，华为在英国对外宣布与曼彻斯特大学合作研究石墨烯的应用，共同开发ICT领域的下一代高性能技术。该项目合作期主要是研究如何将石墨烯领域的突破性成果应用于消费电子产品和移动通信设备。

石墨烯只有一颗原子厚度，是世界上最薄、导电性能最强的材料，被业内视为下一个材料领域的颠覆者。很多人第一次听闻它还是来自于华为创始人任正非的一次媒体采访。任正非说，未来10到20年内会爆发一场技术革命，这个时代将来最大的颠覆事件，是石墨烯时代取代硅时代。

任正非表示，现在芯片有极限宽度，硅的极限是七纳米，已经临近边界，而石墨已经开始触及技术革命前沿。

而作为此次投资方，据天眼查显示，哈勃投资的法定代表人、董事长以及总经理均为白熠，而白熠为华为全球金融风险控制中心总裁，此前曾担任华为财务管理办公室副总裁。而其他从哈勃投资董事人员构成上都具有通信背景，应为民曾担任华为无线网络研发总裁，周永杰曾任海思半导体有限公司副总裁，均有通信产业从业经历。

编辑：芯智讯-林子   来源：第一财经