骁龙830再爆：10nm工艺、基带狂暴

王者归来的骁龙820，让高通长舒了一口气，但这并不意味着高枕无忧。因此，对于后续的产品高通也在积极的规划中。

此前，根据台湾精实新闻的报道，高通新旗舰骁龙830将在今年年内发布（预计第四季度），该处理器采用三星10nm FinFET制程，而搭载该处理器首发手机需要在2017年第一季度才能正式面世。

而近日，知名博主@Black_黑数码进一步曝光了骁龙830的详细参数信息。

据了解，骁龙830 MSM8998将升级到三星10nm FinFET工艺，CPU架构则升级为Kyro 200。骁龙830 GPU升级为Adreno 540，基带升级为X16，支持四个20Hz载波聚合，下载速度达980Mbps，同时引入LPDDR4X内存，视频拍摄则支持到4K×2K/60fps，快充还是QC 3.0。

此外，骁龙820后续继任者骁龙823型号为MSM8996Pro。据透露，其原名为骁龙821，集成Adreno 530 GPU，采用X12系带和Cat.12/13，上行速度为150Mbps，下行速度为600Mbps，支持4GB运存，可拍摄4K视频。