三星量产第二代10nm DDR4内存芯片，速度提升10%

据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。

三星称，公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。

另据路透社报道，三星开发的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。

三星开发的8Gb DDR4芯片

三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

作为全球最大芯片制造商，三星表示，和2012年使用20纳米工艺生产的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

三星称，公司希望通过扩大10纳米级DRAM芯片的生产，进一步提升整体竞争力。三星还表示，公司将使用新工艺为客户生产更多优质产品，利用最新技术进步，深挖服务器、移动和图形芯片市场。三星将在2018年把现有多数DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。

三星在10月底为半导体部门等三大主要业务任命了新一代负责人。三星称，公司并不寻求立即扩大芯片出货量，但会投资维持长期市场地位。

稿源：凤凰科技