2026年9月20日，第11届上海FD-SOI论坛如期在上海举办，本届会议由芯原股份（VeriSilicon）主办，汇聚了来自格芯、Soitec、MIPS等全球半导体产业链核心企业，以及IBS、清华大学等顶尖产业研究及学术团队，共同梳理FD-SOI技术近25年的演进脉络，发布28nm向7nm及以下节点迭代的全新路线图，明确FD-SOI与FinFET并行的产业定位，面向边缘AI、车载电子、移动通信、5G/6G毫米波等万亿级市场打开新的增长空间。芯原股份董事长、CEO兼总裁戴伟民（Wayne Dai）在开幕致辞中披露了FD-SOI的技术根基、产业里程碑与中国本土化布局的最新进展。
FD-SOI：与FinFET同源的CMOS延续方案
戴伟民在开幕致辞中回溯了FD-SOI技术的起源：2001年，加州大学伯克利分校胡正明（Chenming Hu）教授团队首次提出两大技术方向，用于将CMOS工艺推进到20nm以下节点，分别是3D全耗尽的FinFET，以及2D全耗尽的FD-SOI，二者并非替代关系，而是面向不同应用场景的互补技术路线。
FD-SOI的核心技术特性可概括为：
1、超薄体 (Ultra-Thin Body)：极薄的硅膜是实现“全耗尽”物理机制的前提。它与超薄埋氧层共同构成了 UTBB 结构，是先进 FD-SOI 节点的关键。
2、埋氧层 (Buried Oxide)：BOX 层提供了全介质隔离。这种结构从根本上消除了传统体硅 CMOS 中的寄生晶闸管路径，使器件天然免疫闩锁效应。
3、全耗尽 (Fully Depleted)：由于顶层硅膜极薄，晶体管在关断状态下，沟道区域会被完全耗尽，这消除了传统体硅晶体管中困扰已久的漏电流问题。
4、无沟道掺杂 (No Channel Doping)：与依赖离子注入调整阈值电压的传统工艺不同，FD-SOI 的沟道通常接近本征（无掺杂），这显著降低了随机掺杂波动 (RDF)，改善了器件的一致性。
相比之下，FinFET依托3D立体鳍片结构，在云端高性能计算、旗舰消费电子等追求极致算力的场景占据主导地位；而FD-SOI凭借天然的低功耗、高集成度、强模拟数字融合能力，成为边缘场景的最优技术载体。戴伟民明确提出“双腿并行”的产业判断：两种技术路线不存在非此即彼的淘汰关系，而是分别覆盖不同的核心市场。
全球产业里程碑：从28nm到7nm节点的完整演进
戴伟民在致辞中梳理了FD-SOI产业过去十余年的关键落地节点，当前全球技术迭代已经进入加速期：
2012年，意法半导体（ST）率先推出28nm FD-SOI工艺平台，奠定了商用化基础；
2017年，格芯推出22FDX系列FD-SOI工艺，进一步扩大产业生态；
2024年3月，ST与三星联合发布18nm FD-SOI工艺，集成嵌入式相变内存（ePCM），在性能提升的同时大幅降低功耗，可实现更大内存容量、更高的数模混合集成度。基于该工艺的首款STM32V8系列MCU搭载800MHz Cortex-M85内核，已于2025年11月发布，2026年第一季度正式量产出货；
2025年1月，欧盟总预算8.3亿欧元的“FAMES先导线”（基于FD-SOI技术）在布鲁塞尔正式启动，由8个国家的11家产业与学术机构联合参与，匹配欧盟“芯片法案”的先进工艺布局目标；
2026年1月，FAMES先导线正式交付首款10nm FD-SOI路径探索PDK；2026年6月，7nm FD-SOI节点的栅极级SADP光刻工艺实现，标志着FD-SOI工艺即将推进到7nm及以下先进节点。
当前FD-SOI的工艺路线已经形成从28nm、22nm、18nm、12nm，到10nm、7nm及以下的完整迭代路径，彻底打破了行业此前“FD-SOI仅停留在成熟节点”的刻板认知。
中国本土化突破：12英寸产线与本土产业链落地
本届论坛最受瞩目的中国本土进展，是2026年8月锐立平芯（SOI Micro）完成由长存资本、光谷科创投等机构领投的B轮战略融资，将建设中国首条FD-SOI大规模量产线。
戴伟民介绍，SOI Micro成立于2022年，是国内首家专注FD-SOI先进工艺的晶圆制造企业，叠加此前NSIG收购Soitec 14.5%股权、上海新傲获得Soitec Smart-Cut技术授权，目前国内已经形成从12英寸FD-SOI衬底供应到晶圆制造的完整本土产业链。
国内FD-SOI产业链的落地，将直接支撑四大高潜力核心市场：
1、车载电子：车载MCU、雷达处理芯片、电源管理、V2X通信芯片；
2、IoT与可穿戴：边缘AI处理器、低功耗智能语音识别、AI眼镜、智能手表、便携医疗设备；
3、移动通信；
4、5G/6G雷达：毫米波芯片、5G/6G基础设施芯片、车载雷达、卫星通信芯片；
5、边缘AI。
根据论坛现场披露的市场数据，全球FD-SOI的月度等效晶圆需求将从2026年的约71.6万片，持续增长至2030年的127.6万片，MCU、显示驱动、图像传感器等细分赛道都将保持稳定的两位数年复合增长率。
戴伟民在致辞最后总结，过去10年的上海FD-SOI论坛已经成为全球FD-SOI产业最重要的协同平台，见证了从28nm到18nm技术落地，后续还将进一步推进到7nm及以下先进节点。在边缘AI爆发的2026年，FD-SOI凭借低功耗、高可靠性、高集成度的天然优势，将成为百亿级边缘终端设备的核心技术底座，与FinFET高性能路线形成互补，共同支撑全球半导体产业下一个十年的增长。
编辑：芯智讯-浪客剑
