9月16日消息，在近日的洛杉矶“All-In Summit”峰会上，当被问及中国自主光刻技术的进展时，英伟达CEO黄仁勋给出了一个令半导体业界瞩目的判断：中国将在2030年前开发出自己的“先进光刻系统”。
“他们会在2030年前做到。2030年就在眼前。（我）看待中国的方式是，他们非常擅长大规模生产。这只是时间问题……两三年只是转瞬之间。因此对他们而言，他们其实已经做到了。”黄仁勋在大会上说道。虽然黄仁勋并未指出是什么“先进光刻机”，但目前中国已经推出了自研的浸没式DUV光刻机，所以从他所指可能是“EUV光刻机”。
黄仁勋对于中国科技突破的速度一直很乐观。此前他曾称中国AI产业“紧随美国前沿实验室之后”，这一判断在资本大量涌入中国AI领域的背景下被证明有一定依据。但具体到光刻领域，不少外媒分析认为，黄仁勋“可能过于乐观了”。
今年7月，The Information报道称中国已开始生产自主研发的浸没式DUV光刻机，预计今年生产约5台，2027年增至约20台。但多位分析人士指出，这些设备仍需“广泛验证”，与ASML成熟机型相比“还有很大差距”。
摩根大通分析师在报告中强调：“生产少量DUV工具，与大批量生产不同——在大批量生产中，良率、套刻精度、吞吐量和数千片晶圆运行的可靠性才是关键。”
即便中国已经可以量产浸没式DUV光刻机，但是尖端制程所必须的EUV光刻机的突破仍有较高难度。长期为ASML供应EUV光学系统的德国蔡司集团半导体部门主管Frank Rohmund近日表示，中国可能还需要约15年才能自行研发EUV光刻机。瑞银此前也评估称，中国本土EUV光刻机“目前仅处于早期研发阶段”。
值得一提的是，黄仁勋在“All-In”峰会上的对话还涉及AI安全、开源模型等议题。访谈期间美国总统特朗普还打来电话，在免提状态下宣称关于AI和数据中心的担忧“全是骗局”，并将数据中心称为“未来20到25年的石油”。
编辑：芯智讯-浪客剑
