格罗方德推出12nm半导体制程，成都新厂2018年底投产

Globalfoundries于 22 日宣布推出全新 12nm Leading-Performance (12LP) FinFET 半导体制程计划。格罗方德表示，此技术将可望超越格罗方德现行 14nm FinFET 技术的产品，提供密度及效能上提升，进而满足运算密集型的应用，例如包括人工智能、虚拟现实、高端智能手机以及网络基础架构等的处理需求。

格罗方德指出，相较于现今市场上的 16nm 和 14nm FinFET 制程解决方案，全新 12LP 技术可提供高达 15% 的电路密度提升，以及超过 10% 的效能强化，这将赋予 12LP 技术与其他 12nm FinFET 技术全面竞争的优势，而此技术将运用于格罗方德位在美国纽约萨拉托加郡晶圆 8 厂的生产中。

而除了电晶体方面的效能提升，12LP 平台还将包含专为车用电子设备和射频及模拟应用 (RF/analog application) 所设计，并以市场为导向的新功能。而车载电子设备和射频及模拟应用，预计将是产业中成长最快速的两个领域。因此，12LP 平台将会为市场带来新的发展领域。

此外，格罗方德预计斥资总金额超过 100 亿美元，在中国成都高新区西部园区的格罗方德 Fab11 晶圆代工厂，预计将在 10 月份举行封顶作业。并且预计在 2018 年年底前，进行第一期的投产。据了解，目前已经有数家的中国厂商开始与格罗方德合作，开始规划 22nm FD-SOI 制程的的产品设计工作。

按照规划，累计投资达百亿美元的格罗方德 Fab11 晶圆厂，诶计将分为两期建设。第一期为主流 CMOS 制程 12 寸晶圆生产线，预计 2018 年年底投产。第二期为格罗方德最新的 22FDX，22nm FD-SOI 制程 12 寸晶圆生产线，预计 2019 年第 4 季投产。

据了解，格罗方德的 22FDX 制程采用 22nm FD-SOI (全耗尽型绝缘上覆矽) 电晶体架构,为无线的、使用电池供电的智能系统提供业界最佳的性能、功耗和面积组合。未来，格罗方德在成都高新区打造的全球首条 22nm FD-SOI 12 寸晶圆生产线，产品将广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域。

稿源：technews