近日GlobalFoundries（格罗方德，国内名称为“格芯”）迎来好消息，其22nn FD-SOI(全耗尽绝缘硅)工艺获得了上海复旦微电子的订单。这也是GlobalFoundries的22nm FD-SOI工艺首次赢得中国客户的订单。
据了解，上海复旦微电子将使用GlobalFoundries的22nm FD-SOI工艺制造人工智能、大数据用处理器，预计2018年下半年投入使用。而在此之前，上海复旦已经和GlobalFoundries在智能卡IC领域达成了合作。
早在2015年的时候，GlobalFoundries就宣布推出了全新的“22FDX”工艺平台，成为了全球第一家实现22nm FD-SOI工艺的厂商。
今年2月，总投资为90.53亿美元的GlobalFoundries（格罗方德，国内名称为“格芯”）12英寸晶圆制造基地项目在成都正式动工。该项目将是目前GlobalFoundries在全球投资规模最大、技术水平最先进的生产基地。二期工程将建设全球首条22nn FD-SOI(全耗尽绝缘硅)先进工艺12英寸晶圆代工生产线，预计2019年第四季度投产，建成后产能产能约6.5万片/月。
FD-SOI技术仍采用的是平面型晶体管，而像半导体制造大户Intel、三星以及台积电早已采用立体晶体管（FinFET）。在现在台积电、三星16/14nm早已量产，并且在加速布局10nm FinFET工艺的时候，为何GlobalFoundries还会大力发展22nm FD-SOI工艺呢？为何上海复旦微电子会选择GlobalFoundries的22nm FD-SOI工艺呢？
GlobalFoundries官方此前曾表示，其22nm FD-SOI工艺的功耗比28nm HKMG降低了70%，同时芯片面积比28nm Bulk缩小了20%，光刻层比FinFET工艺减少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%。而在功耗方面，其电压可以做到业界最低的0.4V，并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50%，它甚至可以提供类似FinFET工艺的性能。
GlobalFoundries称22nm FD-SOI可以在实现14nm工艺级别的性能的同时，做到与28nm工艺的成本持平。而目前28nm仍是业内性价比较高，应用非常的广。这也意味着22nm FD-SOI拥有较大的市场空间。
总的来说，相比目前主流的芯片生产工艺，22nm FD-SOI工艺具有低功耗、综合成本低等优势，非常适用于移动设备、物联网、智能设备、汽车电子、5G无线基础设施等领域。
除了复旦微电子之外，有消息称联发科也将会采用GlobalFoundries22nm FD-SOI工艺在制造IoT相关芯片。
作者：芯智讯-林子
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