三星加速布局1d DRAM，目标2027年底量产

6月18日消息，据外媒wccftech报道，三星电子正在积极准备下一代1d DRAM制程技术，预计最快2027年底进入量产阶段，这是三星继1c DRAM之后下一代内存制程，相当于美光（Micron）1-delta节点。

随着AI需求的持续爆发，存储芯片已经成为核心瓶颈之一，高端AI芯片对高带宽内存（HBM）规格要求，以及AI服务器对于内存模组要求持续推升，迫使DRAM厂商加速制程技术的升级。

目前三星电子当前最新DRAM芯片是通过1c DRAM技术制造，高度依赖EUV光刻与金属栅极，同时也已应用在HBM4高带宽内存，主打AI/HPC高带宽内存市场。

与1c DRAM不同，三星电子正在研发的1d DRAM将采用电容垂直堆叠全新结构，这也是DRAM制程史上首次从水平排列转向垂直整合的重大转变，有望进一步提升单位面积储存密度与功率效率，对未来AI训练与推理所需的高带宽、低功耗内存而言是关键。

此外，1d DRAM还将使用双晶圆接合技术，DRAM与周边控制电路分开在不同晶圆再整合，以提升制程弹性与性能。

根据韩媒引述业界人士消息，2027年第二季前，三星电子计划将1d专用设备导入产线，若研发与设备调校顺利，有望2027年底启动量产。这将直接影响三星电子在HBM5E市场的竞争地位。

编辑：芯智讯-林子