超越摩尔时代将来临：2040年将实现0.2nm

根据韩国半导体工程师协会发表的《半导体技术路线图2026》，全球半导体产业正规划在未来15年内，将先进逻辑制程从目前的2nm节点，逐步推进至2040年的0.2nm，将真正进入1埃米（Å）时代。随着晶体管线宽微缩逐渐逼近物理极限，未来制程演进将不再仅仅依赖光刻技术，而是转向结构、材料与系统层级的全面革新。

2040后将迎来1埃米时代，EUV可能迎来瓶颈

从时间轴来看，路线图预期2025年底左右半导体制程将进入2nm时代，并于2031年前后推进至1nm级；到了2040年，逻辑电路线宽将进一步缩小至0.2nm。尽管0.75NA EUV光刻机可在2030年前后带来更细线宽，但基于光刻的物理微缩将逐步趋于饱和，制程竞争的重心势必转向芯片构架与整体系统设计。

晶体管转向立体化

为延续摩尔定律，逻辑元件将由FinFET 转向GAA（Gate-All-Around），并进一步演进至CFET（Complementary FET） 等三维晶体管结构，通过将PMOS 与NMOS 垂直堆叠，突破平面密度限制。配合Monolithic 3D（单晶3D） 制程，以及由DTCO 迈向STCO（系统－制程共同最佳化）的设计思维，未来性能提升将来自整体构架重整，而非单一制程节点的微缩。

内存同步进化，异质整合与高层数DRAM 成关键

除了逻辑制程，內存技术的演进节奏与0.2nm逻辑制程高度同步。在DRAM 领域，传统BCAT 构架预期将在7～8nm遭遇微缩极限，未来将转向垂直信道晶体管、堆叠式DRAM、4F² 单元，以及通过Hybrid Bonding （混合键合）将CMOS 电路直接与数组內存结合的CBA（CMOS Bonded Array） 构架，延续密度与性能提升。

在AI 应用推动下，高频宽內存（HBM）的重要性进一步放大。路线图指出，HBM 将通过更高层数堆叠、混合键合与散热设计，HBM 预测2031年将有20层、8TB/s，并在2040年达到30层以上、128TB/s 的带宽水平。

至于NAND Flash，则走向“以层数换密度”的发展路径，预期自321层，推进至2031年约1000层，并在2040年挑战2000层。

进入超越摩尔定律时代（More than Moore）

半导体产业正藉由逻辑与內存的3D 化、Hybrid Bonding 及系统级构架重整，提升单位面积整合密度并降低互连延迟，以在不依赖线宽微缩的情况下，满足未来AI 或其他产业对于高速、低功耗的需求。

编辑：芯智讯-林子 来源：theise.org、wccftech