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12月20日消息，半导体设备大厂应用材料近日宣布，其开发“冷场发射”（cold field emission，CFE）技术已实现商用化。据介绍，该突破性电子束（eBeam） 成像技术可协助芯片制造商更好地检测与成像出纳米级埋藏的缺陷，以加快新一代全环绕栅极闸（Gate-All-Around，GAA） 逻辑芯片，以及更高密度的DRAM 和3D NAND存储芯片的开发和制造。