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三星组建先进封装工作组,欲追上台积电与英特尔

三星成立先进封装工作组,发力先进封装技术

虽然在半导体先进制程工艺方面,近日三星成功抢先台积电量产了3nm GAA制程工艺,但是在2.5/3D先进封装技术方面,三星仍落后于英特尔和台积电。而为了缩短这方面的差距,三星也已经组建了新的半导体封装工作组发力先进封装技术。
功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:抢先台积电量产

三星3nm晶圆全球首秀,将抢先台积电量产

5月23日消息,三星曾在去年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,宣布将于2022年上半年领先台积电量产3nm制程。近日,在美国总统拜登参观三星平泽晶圆厂之时,三星首次公开展示了其3nm工艺制造的12英寸晶圆。按计划,三星将在今年Q2季度量产,比台积电还要早一些。

三星研发全新旗舰机芯片,以期带动自家先进制程晶圆代工业务

5月18日消息,据韩国经济日报(Korea Economic Daily)引述匿名产业消息人士报导称,三星正为旗下5G旗舰手机打造全新的处理器芯片,预计2023年完成芯片设计,2025年开始导入自家旗舰机。业界研判,三星将通过自研先进制程的5G旗舰芯片,让自家的先进制程晶圆代工练兵,并借此维持晶圆厂的产能利用率,以追赶台积电。

三星4nm制程良率仅35%,3nm GAA 制程良率刚达10%~20%

4月29日消息,据外媒Wccftech报导,韩国三星晶圆代工部门不仅4nm制程技术量产仍苦苦挣扎,3nm GAA架构节点制程也遇到大麻烦。按照目前的进度几乎可肯定,IC 设计大厂高通和联发科等公司将不会采用三星的3nm制程。
最后期限已至,台积电等数十家半导体企业已向美国提交资料-芯智讯

台积电N3e制程进展顺利,有望提前一个季度量产

3月7日消息,据外媒wccftech报导,外资投行摩根士丹利近日发布投资报告,根据晶圆代工龙头台积电退休工程师的社群媒体说法,以及摩根士丹利查访设备供应商获得的信息显示,台积电第一代3nm制程(N3)的改良型N3e制程进展顺利,有机会取得更多订单。

手握1000亿美元现金,三星欲挖台积电“墙脚”?TI/NXP/ST/瑞萨/英飞凌都是潜在目标

11月29日消息,据台湾《经济日报》报道,三星集团副会长李在镕赴美行程结束返回韩国之后,传出消息称,三星集团将凭借手上逾千亿美元的现金储备优势,可能择一收购或入股多家国际半导体大厂,潜在标的可能将包括德州仪器(TI)、瑞萨(Renesas)、恩智浦(NXP)、英飞凌(Infineon)、意法半导体(ST)等台积电重要客户。