传三星将扩大在美投资，2026年引入3nm GAA制程
目前台积电美国新晶圆厂正在建设当中，而三星的美国建厂计划则相对滞后，预计量产时间将落后台积电约一年。但是，在投资金额、产能规划及当地先进制程布局上，三星似乎并不逊于台积电。根据最新传出的消息称，三星规划要在2026年将3nm环绕闸极技术（GAA）制程引入美国厂，打造全美国最先进的晶圆厂，力求弯道超车。
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三星冲刺3nm GAA制程，代工相关的流程设计工具已推出
三星正在奋力冲刺3nm制程，希望借此进一步缩小与台积电的差距。最新的信息显示，三星旗下晶圆代工事业部门已和全球电子设计自动化（EDA）巨头Cadence合作推出了3nm制程相关开发工具，加速相关先进制程开发的软件程序。相较之下，台积电亿与EDA厂商于5月推出了3nm相关开发工具，三星正以三至四个月的差距紧追在后。
实现5nm以下制程的关键技术：复旦教授成功攻克GAA晶体管技术
12月17日消息，来自“复旦大学微电子学院”的消息显示，该校周鹏团队针对具有重大需求的3nm至5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。据悉，相关成果已经在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。
助力百度昆仑AI芯片量产！三星Foundry的SAFE平台到底有何优势？
7月10日上午，在2020 世界人工智能大会期间的“万物智联·芯火燎原”人工智能芯片创新主题论坛上，三星电子高级副总裁Moonsoo Kang介绍了三星Foundry是如何通过提供最佳的Silicon(硅)解决方案来帮助AI芯片实现的。同时，他也介绍了三星Foundry在晶圆代工领域的概况及最新的进展。
台积电3nm细节曝光：晶体管密度高达2.5亿个/mm²，性能及能效大幅提升
很快台积电的5nm工艺即将量产，与此同时，台积电的3nm工艺也在持续推进当中。去年7月，台积电就公开表示其 3nm 工艺的开发进展顺利，并且已经与早期客户就技术定义进行了接触。近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了惊人的2.5亿个/mm²！
