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三星宣布将在2021年量产3nm GAA工艺:相比7nm面积减少45%,功耗降低50%!

三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%
当地时间5月14日,三星举行了2019年度的SSF晶圆代工论坛会议,三星在这次会议上公布了其第一款3nm工艺的产品设计套件(PDK) alpha 0.1版本,旨在帮助客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间(TAT)。同时,三星还宣布将在2021年推出基于下一代环绕栅极 Gate-All-Around(GAA)技术的3nm GAA工艺,相比7nm,可实现芯片面积减少45%,功耗降低50%或性能提高35%。