全球首座！英飞凌将于欧洲建12英寸氮化镓量产工厂
当地时间2026年10月27日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣布，将在欧洲建立全球首座基于300毫米（12英寸）晶圆的下一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模量产工厂。
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标签： 英飞凌
英飞凌在泰国启用全新后道制造基地
10月8日，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日在泰国曼谷北榄府（Samut Prakan）正式启用全新后道制造基地，泰国总理Anutin Charnvirakul、英飞凌科技首席运营官Alexander Gorski出席开幕仪式。
斥资11.2亿美元，华邦电子为何复活“Spansion”？
9月16日晚间，华邦电子召开记者会，宣布已经与英飞凌公司（Infineon Technologies AG）旗下的Infineon Technologies LLC签署股份购买协议，将以全现金方式取得英飞凌NOR Flash与F-RAM业务（以下简称“目标公司”）100%股权。基础交易价格为11.2亿美元，并将于交割前依股份购买协议所订之相关规定进行调整。该交易已获华邦董事会核准。
英诺赛科稳居第一，英飞凌升至第二！
近期，市场研究机构Yole Group发布了年度报告《Power GaN 2026》，对功率氮化镓（GaN）半导体产业的市场、生态、供应链和技术进行了全面分析。
陈立武投资的印度芯片公司，被英飞凌收购了
8月24日，德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon Technologies）宣布，已就收购印度班加罗尔科技企业C2i Semiconductors达成协议，后者专注于为AI数据中心应用提供软件定义多相控制器与智能功率级服务。
英飞凌携手联发科，赋能未来汽车智能座舱解决方案
2026年8月6日，全球功率系统和物联网领域的半导体领导厂商英飞凌科技股份公司（Infineon）与联发科（MediaTek）合作，为未来汽车打造先进、AI驱动的汽车座舱体验。联发科现已完成英飞凌车规级NOR Flash存储器解决方案512 Mb Quad SPI NOR Flash在其天玑汽车座舱平台C-X1上的认证，为整车厂、汽车Tier-1供应商，以及开发下一代智能座舱系统的设计合作伙伴提供了一种经过认证且便于导入的存储器选项。
投资50亿欧元，英飞凌德国智能功率晶圆厂提前投产！
当地时间2026年7月2日，英飞凌科技股份公司宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab，以下同），较原计划提前数月投产。
英飞凌宣布完成对艾迈斯欧司朗非光学模拟/混合信号传感器业务的收购
7月2日，德国英飞凌科技股份公司宣布，已完成对艾迈斯欧司朗集团（SIX：AMS）非光学模拟/混合信号传感器业务组合的收购。该交易于2026年2月宣布，目前已获得所有必要的监管批准。通过此次收购，英飞凌将依托双方高度互补的产品组合，进一步巩固其在工业和汽车传感器领域的领先地位，并拓展其在医疗健康应用领域的产品布局。
专利战三连胜！英诺赛科再获德国法院“不侵权”判决
2026年6月19日，英诺赛科通过官网宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。
英飞凌GaN产品遭禁售，英诺赛科获赔1000万元！
2026年6月12日晚间，国产氮化镓（GaN）大厂英诺赛科通过官方公众号宣布，当日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。
英飞凌推出首款可在205°C运行的碳化硅功率模块，为电动汽车逆变器树立新标杆
2026年6月5日，英飞凌在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑：正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅（SiC）模块，该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商（OEM）和一级供应商（Tier 1）能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率，也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。
英飞凌宣布涨价：7月1日生效！
根据最新曝光的内部资料示，MCU及功率芯片大厂英飞凌于2026年5月26日向客户发出通知，宣布计划对旗下部分产品实施价格调整，调整将于2026年7月1日生效。