5月25日消息,氮化镓(GaN)技术厂商普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称英诺赛科)侵犯。
英诺赛科(珠海)科技有限公司为ASML光刻机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。英诺赛科于2021年引入ASML光刻机,凭借着其卓越的成像性能和独特的TWINSCAN架构(双晶圆工件平台),英诺赛科进一步提升了硅基氮化镓功率器件制造的产能及产线良率。此次庆典上,ASML副总裁兼中国区总经理沈波代表ASML被英诺赛科授予“最佳战略合作伙伴”称号。
继去年9月,全球最大氮化镓工厂——英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段之后,2021年1月21日,英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议,用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。
9月19日,英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段,标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成,同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。