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尼康宣布推出全新ArF浸没式光刻机NSR-S636E,生产效率提升15%

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12月9日消息,根据日本光刻机大厂尼康(Nikon)官方消息,其将于2024年1月正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E。尼康称,作为半导体生产过程中关键层的曝光系统,NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率,并具有高水准的套刻精度和生产速度,可为尖端半导体器件中的 3D 等器件结构多样化的挑战提供解决方案。 

浸没式光刻技术如何拯救摩尔定律?

TWINSCAN NXT:2000i机器的特写图片。
2000年代初,芯片行业一直致力于从193纳米氟化氩(ArF)光源光刻技术过渡到157纳米氟(F 2 )光源光刻技术。就像艺术家希望用细线笔代替记号笔来绘制更精确、更详细的图片一样,这种向更小波长的重大转变是业界希望继续缩小晶体管并在芯片上实现更多计算能力和存储功能的希望。然而,意想不到的事态发展证明了将工程推向极限的风险,但物理定律并不同意。