美国开发出全固态热晶体管：可精确控制计算机芯片热量
11月6日消息，加州大学洛杉矶分校的一组研究人员推出了首个稳定的全固态热晶体管，它使用电场来控制半导体器件的热运动。
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1nm制程有新突破！台大携台积电、MIT研发二维材料＋铋超越硅极限
近日，台大携手台积电、美国麻省理工学院（MIT），研究发现二维材料结合半金属铋（Bi）能达到极低的电阻，接近量子极限，有助于实现半导体1nm以下的艰巨挑战；且这项研究已于“自然”（Nature）杂志公开发表。
揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
Intel、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节点的新型全栅场效应晶体管（GAA FET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或2023年开始。
厉害了！Intel在1平方毫米中塞下了1亿个晶体管
本周二，英特尔也抢了一回头条，因为芯片巨头逻辑技术部门副主席Kaizad Mistry宣布，他们已经有能力在1平方毫米中塞下1亿个晶体管，“绝对是行业历史上史无前例的。”对，这也可以算是个“里程碑”式的进步。
