据外媒报道称,美光近日在一场演讲当中介绍了如何将纳米压印技术用于DRAM生产的细节,这似乎也预示着美光将会率先采用佳能的NIL设备用于DRAM芯片的生产,以便进一步降低DRAM的制造成本。
2023年10月,日本光刻机大厂佳能(Canon)正式发布了基于纳米压印技术(NIL)的芯片制造设备FPA-1200NZ2C,预计为小型半导体制造商在生产先进制程芯片方面开辟出一条全新的路径。近日,佳能负责新型纳米压印设备开发的高管武石洋明对媒体表示,FPA-1200NZ2C将会在2024年至2025年间出货。
12月26日消息,日本光刻机大厂佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印(Nanoprinted lithography,NIL)设备FPA-1200NZ2C之后,佳能首席执行官御手洗富士夫近日在接受采访时再度表示,该公司新的纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路,使得生产先进芯片的技术不再只有少数大型半导体制造商所独享。
12月9日消息,根据日本光刻机大厂尼康(Nikon)官方消息,其将于2024年1月正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E。尼康称,作为半导体生产过程中关键层的曝光系统,NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率,并具有高水准的套刻精度和生产速度,可为尖端半导体器件中的 3D 等器件结构多样化的挑战提供解决方案。
10月14日消息,光刻机大厂佳能(Canon)公司近日通过新闻稿宣布,其已经开始销售基于“纳米印刷”(Nanoprinted lithography)技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。佳能表示,该设备采用不同于复杂光刻技术的方案,可以制造5nm芯片。
5月29日消息,据日经新闻报导,佳能(Canon)已研发出不使用稀有金属的QD-OLED面板材料,预计将在2025年左右确立量产技术。
5月17日消息,佳能(中国)有限公司16日宣布将面向中国市场发售CMOS影像传感器。
3月31日消息,据路透社报道,日本政府于当地时间本周五宣布,计划限制23项半导体制造设备的出口。日本政府此举被认为是跟进美国去年10月出台的针对中国的半导体设备出口管制政策。
10月4日消息,据日经新闻报道,光刻机供应商佳能近日宣布,将投资超过500亿日元在日本新建一座半导体设备工厂,目标将当前半导体设备产能提高一倍。
6 月 18 日消息,佳能宣布将于 2022 年 8 月初发售 KrF 半导体光刻机“FPA-6300ES6a”的“Grade10”产能升级配件包(以下简称“Grade10”升级包)。
4 月 1 日消息,据日经中文网报道,佳能正在开发用于半导体 3D 技术的光刻机。佳能光刻机新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面积扩大至现有产品的约 4 倍,可支持 AI 使用的大型半导体的生产。