标签: 氮化镓

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商务部:已批准了符合规定的若干镓、锗相关物项的出口申请

9月21日,商务部召开例行新闻发布会,商务部新闻发言人何亚东表示,管制政策正式实施以来,商务部陆续收到企业关于出口镓、锗相关物项的许可申请。“目前,经依法依规审核,已批准了符合规定的若干出口申请,有关企业已获得两用物项出口许可证。”
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三星宣布2025年提供8英寸氮化镓功率半导体代工服务

7月7日消息,据韩国媒体 BusinessKorea 报道,三星电子近日在美国和韩国两地举办了面向业内人士的 2023 年三星晶圆代工论坛。在活动中,三星宣布将于 2025 年启动面向消费者、数据中心和汽车应用的 8 英寸氮化镓(GaN)功率半导体代工服务。

宜普向美国ITC起诉英诺赛科侵犯其氮化镓技术专利

5月25日消息,氮化镓(GaN)技术厂商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称“宜普公司”)于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称“英诺赛科”)侵犯。

碳化硅功率半导体需求旺,预计到2035年市场规模将暴涨30倍

4月18日消息,据日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)公布的调查报告指出,因汽车电动化需求、加上太阳能发电等再生能源普及,带动2023年全球功率半导体市场规模(包含硅制产品和碳化硅、氮化镓、氧化镓等次世代功率半导体)预估将年增12.5%至30186亿日元,且之后市场规模将持续扩大,预估2035年将扩增至134302亿日元,将较2022年暴增约400%。
德州仪器携手光宝布局基于氮化镓的服务器电源供应器

德州仪器携手光宝布局基于氮化镓的服务器电源供应器

3月3日消息,模拟芯片龙头大厂德州仪器 (TI) 宣布携手光宝科技正式在北美市场推出搭载 TI 高整合式氮化镓 (GaN、Gallium nitride) 与 C2000 实时微控制器 (MCU) 的商用化服务器电源供应器 (PSU)。其 TI LMG3522R030 GaN FET 及TMS320F28003x(属于C2000系列) MCU的新一代电源供应器功率密度提升至超过 95 W/in³,符合 80PLUS 钛金级效率规范。

鸿海、联电进击第三代半导体

9月16日消息,在昨日的“SEMICON Taiwan 2022国际半导体展”上,鸿海、联电分别展示其在第三代半导体上的布局。鸿海昨日还预告,将整合串起一条龙供应链,在第三代半导体领域大显身手;联电则以子公司联颖光电为指标,目前产能满载,规划扩大产能以应对需求,并朝更先进的8吋晶圆与多元应用迈进。