6月16日消息，据韩国媒体Business Korea 报导，处理器大厂AMD于上周发布的全新人工智能（AI）芯片MI350 系列将搭载三星电子的12层堆叠的HBM3E高带宽内存。这对三星电子来是个好消息，因为该公司在英伟达的HBM 认证方面一直遭遇挫折。此外，AMD 将于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也对三星的HBM4 供应有所期待。

AMD上周在美国旧金山圣何塞会议中心举行的AI Advancing 2025 活动中，正式发布了其新款AI芯片MI350X 和MI355X。随后，这两款AI芯片被确认将搭载三星电子和美光的12层堆叠HBM3E 內存。这似乎是三星先前一直向AMD 供应HBM 內存之后，AMD 的首次确认。

而因为MI350X 和MI355X 芯片本质上是相同的，仅在散热设计上有所不同，这改变将影响其最大运行速率。所以，在两款产品均配备288GB容量，较上一代MI300X 的192GB，以及较MI325X 为256GB 提升12.5%的情况下，其性能将有所提升。此外，内置8个MI350系列的GPU的机架服务器，将采用总计2.3TB 的HBM3E 內存。AMD 也宣布了一项计划，目的在提高内置多达128个GPU 的服务器机架的销售量。因此，预计此计划将带来三星HBM 內存的大规模供应。

接下来的HBM4市场将会在2026年全面开启，AMD 表示，2026年推出的MI400 系列GPU 将配备432GB 的HBM4 內存。还有预计将配置72片MI400 系列GPU 的Helios 服务器机架，每个机架将配备31TB 的HBM4 內存，其AI 运算能力将是目前一代MI355X 机架服务器的10倍。

AMD CEO苏姿丰在活动中强调，它的运算能力与英伟达 Vera Rubin 机架服务器机架相当，但HBM 容量和频宽是Vera Rubin 机架服务器的1.5倍。

报道强调，随着JEDEC 规范的最终确定，HBM4 正进入全面生产阶段。三星电子和SK 海力士计划在2025年底前开始量产HBM4。三星电子在本世代HBM 竞赛中落后，决心凭借HBM4 扭转局势。而SK 海力士和美光公司正在采用第五代10nm级（1b）制程开发HBM4，三星方面则瞄准基于更先进的第六代10nm级（1c）制程的高性能，力图重新夺回內存市场领先地位。根据市场研究公司Omdia 的数据，2025年第一季，SK 海力士占全球DRAM 市占率的36.9%，其次是三星电子（34.4%）和美光（25%）。

韩国市场人士表示，如果三星电子无法凭借其技术的HBM4 领域中强势回归，那么三星与SK 海力士之间的差距只会进一步扩大。AMD 也正试图透过其新设计的MI400 系列缩小与英伟达的差距，因此三星电子必须巩固与MI350 系列建立的合作伙伴关系。

编辑：芯智讯-林子