吴越半导体GaN晶体出片,全球首例厚度突破1厘米

​12月15日,吴越半导体GaN晶体出片仪式在高新区举行。副市长高亚光等出席仪式。

 

无锡吴越半导体有限公司成立于2019年,是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目,公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。仪式上,吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。

2020年2月,吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议,在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目,项目建成投产后,可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。

仪式上,吴越半导体还与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。

来源:无锡高新区在线

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