中芯国际14nm良率已达95%，2019年量产再进一步！

根据中国供应链传出的消息指出，中国最大的晶圆代工厂中芯国际，目前最新的 14 纳米 FinFET 制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到 95% 的水准。因此，距离 2019 年正式量产的目标似乎已经不远了。

而为了追赶这样的落差，中芯国际不但在 2017 年底延揽前三星电子及台积电的高层梁孟松来担任联席首席CEO的职务。主要就是希望借由他过去的经验，指导中芯国际在发展 14 纳米 FinFET 制程上的进程，使中芯国际的 14 纳米 FinFET 制程能在 2019 年达成量产的目标之外，还在 2018 年初宣布，将联同两大政府产业基金共同投资 102.4 亿美元，以加快 14 纳米及以下先进制程研发和量产计划，最终达成每月量产 3.5 万片的目标。如今，在中芯国际的 14 纳米 FinFET 制程达到良率 95% 的情况下，等于是向目标又迈进了一大步。

事实上，随着 28 纳米 Poly/SiON 制程技术成功量产，再加上 2018 年 2 月成功试产客户采用 28 纳米 High-K/Metal Gate（HKMG）制程技术的产品，试产良率高达 98% 之后，与中国台湾地区的联电有着紧密合作关系的厦门联芯，在 28 纳米节点上的技术快速成熟。而这样的消息对当前代表中国晶圆代工龙头的中芯来说，因为在 28 纳米 HKMG 制程良率一直不如预期，而且在过去 14 纳米 FinFET 制程上又无法突破的情况下，几乎要拱手让出中国晶圆代工龙头的位置。如今，在 14 纳米 FinFET 制程技术上取得了突破，并向量产目标迈开脚步，才让中芯国际再保住龙头的位置。

此外，除了对内与联芯的竞争外，中芯国际在 14 纳米 FinFET 制程上的突破，也象徵着拉近了与国际一线晶圆代工大厂的距离。除了台积电、格罗方德、三星都在积极布局 7 纳米制程，并且最快 2018 年底前就能有产品出现之外，包括联电、英特尔都还在 14 纳米节点的位置上。尤其是英特尔，在 14 纳米制程上，预计还将使用到 2019 年后。在这方面来说，中芯国际未来一但 14 纳米 FinFET 制程正式进入量产，则中国市场上目前交由海外代工的产品，就有可能落到中芯国际的手上进行代工。对中芯国际来说会是利多，但对其他的竞争对手而言就可能不是太好的消息。

根据中国业内消息人士指出，虽然过去曾有中国大基金拟向格罗方德购买技术，强化中芯国际 14 纳米 FinFET 制程的消息。但是，这次似乎是梁孟松及其他所带领的团队发挥的作用，进一步将中芯国际的 14 纳米制程拉上。只是，消息人士也指出，这事情光靠梁孟松一人并不可能办到，而是梁孟松过去从中国台湾地区及韩国带走的相关人员一起努力的结果。所以，中心国际线在已经达到了 14 纳米研发成功的阶段，下一阶段就必须看 14 纳米制程能为公司带来多少效益了。

来源：technews