SK海力士完成无锡工厂升级，韩国工厂也在加速扩产

1月15日消息，SK海力士已对其位于无锡的工厂进行了升级改造，该工厂是中国重要的DRAM生产基地。由于该公司在美国对中国半导体实施制裁的情况下完成了工艺转换，此次升级被视为其生产基地的一次重大扩张。

据业内人士14日透露，SK海力士已将无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能由1a工艺占据。该公司在2024年1月的财报电话会议上宣布了无锡工厂的改造计划，而此次改造仅用了两年时间就已完成。DRAM

根据其微加工工艺的不同分为不同的代。1z代表第三代10nm DRAM，而1a代表第四代。代数越高，性能越好。 SK海力士目前已能在无锡工厂生产性能更优的DRAM。

由于无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其工艺改造备受关注。无锡工厂的产量占公司DRAM总产量的30%至40%。

如果由于美国对半导体设备的监管规定而导致工艺改造未能完成，很可能会扰乱生产和业务运营。然而，这些担忧似乎已经消除。

1a DRAM 需要极紫外 (EUV) 光刻技术。然而，由于美国的出口限制，EUV 设备无法进口到中国。

作为替代方案，SK 海力士采用了一种在韩国完成精细电路实现所需的 EUV 工艺，并在无锡完成剩余工序的方法。

尽管工艺复杂且物流成本高昂，但无锡工厂转型为 1a 工艺生产线被视为对其至关重要的体现。这不仅是 SK 海力士满足中国乃至全球市场需求的关键基础。

在去年第二季度财报发布会上，SK 海力士总裁宋铉钟表示：“中国工厂不仅对 SK 海力士至关重要，对全球存储器半导体的供需也同样重要。为确保其持续运营，我们将密切关注美国的监管动态，并与世界各国政府保持密切沟通。” 自

2006 年投产以来，SK 海力士已在无锡工厂投资数万亿韩元。

与此同时，SK海力士预计将加快其国内DRAM晶圆厂向相当于第六代1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

SK海力士加速扩产

据路透社的最新报道，SK海力士美国首席执行官Sungsoo Ryu表示，由于内存需求激增给全球供应带来压力，该公司计划将一家新工厂的开业时间提前三个月，并将于2月份开始运营另一家新工厂。

这家韩国芯片制造商做出这一决定之际，全球内存芯片短缺推高了手机和个人电脑等消费电子产品的价格，并减缓了人工智能所需的数据中心的建设。

SK海力士美国公司首席执行官柳成洙在接受路透社采访时表示：“我们必须支持人工智能基础设施的内存消耗。”

Ryu表示，他的公司是英伟达的关键合作伙伴。该供应商将于 2027 年 2 月提前三个月在其位于韩国龙仁的新芯片工厂开设第一家工厂。此外，该公司还计划下个月开始向位于韩国清州的新晶圆厂 M15X 部署硅晶圆，以生产高带宽存储器 (HBM) 芯片。

路透社报道称，SK海力士决定提前其位于龙仁工厂的生产计划，这尚属首次。此前，一家当地媒体援引匿名业内人士的消息报道了该公司的HBM生产计划。

位于首尔以南 40 公里（25 英里）的龙仁的这家晶圆厂，是该公司计划投资 600 万亿韩元（4070 亿美元）建设“半导体集群”的一部分，该集群最终将容纳四座晶圆厂。

Ryu拒绝透露龙仁工厂一期工程的生产能力详情，但他表示，新增产能将“非常有助于”满足客户需求。

分析师估计，龙仁第一座晶圆厂目前的产能将与该公司位于利川的综合设施相当，该设施拥有多家工厂。

Ryu表示，包括超大规模数据中心在内的客户越来越多地寻求多年供应协议——这与过去更常见的一年期合同有所不同——因为他们都在争相锁定长期供应。

据市场追踪机构 TrendForce 的数据显示，全球存储芯片市场正经历前所未有的繁荣，仅第四季度，部分产品的价格就比上年同期上涨了 300% 以上，原因是人工智能基础设施的激增需求导致产能紧张。

Ryu表示，SK海力士每月都会审查其产品的生产计划，以确保能够为客户提供支持。

Ryu表示：“（内存芯片市场）正在发生结构性变化”，并补充说，他还没有看到需求放缓的迹象。

他说：“我们看到了巨大的需求。”

SK海力士是仅次于三星电子的全球第二大存储芯片制造商，该公司在过去一年中上涨了 280%。