2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%，预计第三季合约价将上调
8月15日消息，根据TrendForce集邦咨询调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。
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SK海力士发通知，DRR5将涨价20%！
8月14日消息，随着SK海力士、美光、三星等存储芯片巨头大举将产能转为生产面向AI需求的高频宽内存（HBM），这也直接导致了对于DDR5等规格内存产出锐减。据供应链传闻指出，已有厂商接获DRAM大厂SK海力士的通知，调涨DDR5报价15%至20%，预计三星、美光等后续也将跟进涨价。
为降低EUV光刻成本，SK海力士将转向“4F2”结构的3D DRAM
8月13日消息，据Thelec报道，SK 海力士研究员Seo Jae Wook 周一在韩国首尔举办的产业会议中指出，自从1c纳米制程DRAM 商业化之后，极紫外光（EUV）光刻制程成本将快速攀升，SK海力士计划开发3D DRAM以进一步控制成本。
SK海力士计划在2025年底量产400层NAND Flash
8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。
SK海力士宣布推出GDDR7：速度提升60%，能效提升50%
7月30日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，公司正式推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7。
SK海力士二季度营收同比大涨124.8%，HBM营收暴涨250%！
7月25日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士发布了截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，虽然营收创下了历史新高，营业利润也扭亏为盈，创近6年来历史新高，但是受美股科技股大跌的影响，SK海力士的股价大跌8.87%。
传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒
7月16日消息，据《韩国经济日报》引述未具名消息人士报导，三星准备运用4nm制程，量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒（logic die）。
HBM4规范定型：最高32Gb、16层TSV堆栈，6.4Gbps！
近日，标准组织JEDEC公布了新一代的高带宽内存HBM4的标准制定即将完成。HBM4 旨在超越当前发布的 HBM3 标准，进一步提高数据处理速率，同时保持更高带宽、更低功耗以及增加每个芯片和/或堆栈容量等基本功能。这些进步对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用程序至关重要，包括生成式人工智能 （AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
SK海力士二季度营业利润预计将超263.5亿元
据彭博社报导，得益于人工智能热潮带来的巨大市场机会，过去一个月至少有19位分析师认为存储芯片大厂SK海力士二季度财报有望超出此前的预估值。彭博社整理的SK海力士二季度营业利润预测值的中位数为5万亿韩元，创6年来最高。
受益NAND Flash涨价+产品组合优化，群联毛利率将维持在30%以上
7月2日消息，麦格理证券近日在最新研究报告中指出，闪存控制器大厂群联在2024年将继续受益于NAND Flash价格的强劲增长，加上群联不断的改进其产品组合，因而看好该公司未来的发展方向。
美光2025年欲抢下25%的HBM市场，SK海力士严阵以待
7月2日消息，美国存储芯片大厂美光（Micron）于6月5日宣布，预计2025自然年，其HBM市占率将与美光的DRAM市占率相当，达到约为20-25%。可以说美光的豪言也给另外两家HBM大厂SK海力士和三星带来了一些竞争压力。
