SK海力士大举晋升人才，高阶管理团队人数增加一倍
12月10日消息，据韩国媒体thelec报道，SK海力士在年终开始对高阶主管团队进行重组，包括将高阶主管人数提升一倍，从19位增加到了33位。
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三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产
12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
传SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4，三星考虑跟进
12月4日消息，据《韩国经济新闻》报道称，传闻韩国存储芯片大厂SK海力士（SK Hynix）应重要客户的要求，将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。
美国对华HBM出口管制规则公布：三大HBM原厂均受限
当地时间12月2日，美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局（BIS）修订的新的《出口管制条例》（EAR），在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时，还公布了对于高带宽内存（HBM）的出口管制规则。
三星与SK海力士合作，加速低功耗LPDDR6-PIM产品标准化
12月2日消息，据businesskorea报道，韩国存储芯片大厂三星电子与SK海力士正在合作研发标准化LPDDR6的存内计算（Processing In Memory，PIM）产品，以加速人工智能（AI）专用低功耗DRAM的标准化，以配合“端侧AI”（on-device AI）的趋势。两家公司认为有必要结盟，以将下一代DRAM商品化。
2024Q3全球十大半导体厂商净利同比大涨38%！英伟达一家贡献了60%！
11月28日消息，据《日经新闻》报道，因AI需求旺盛，带动全球10大半导体厂商今年三季度（2024年7-9月、部分为6-8月或8-10月）净利润合计为304亿美元，同比大涨38%，获利创进3年来新高。《日经新闻》列入统计的全球10大半导体厂商包括：台积电、英伟达、三星电子、意法半导体（STMicroelectronics）、高通、英特尔、AMD、德州仪器、美光和SK海力士。
2024Q3全球DRAM市场营收260.2亿美元，环比增长13.6%
11月26日消息，市场研究机构TrendForce发布最新研究报告称，虽然受中国手机业者去化库存和陆系DRAM供应商扩产，以及三大DRAM原厂的LPDDR4及DDR4出货量下降影响，但供应数据中心的DDR5及HBM需求上升，推动今年第三季DRAM市场营收环比增长13.6%至260.2亿美元。
随着AI需求的飙升，HBM选项增加
随着最先进的 AI 加速器、图形处理单元和高性能计算应用程序需要快速处理的数据量不断激增，高带宽内存 （HBM） 的销量正在飙升。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND Flash
韩国存储芯片大厂SK海力士于11月21日宣布，开始率先量产全球最高的321层 1Tb TLC 14D NAND Flash，计划从明年上半年起向客户提供产品。
为开发AI芯片，传特斯拉已要求三星、SK海力士提供HBM4样片
11月20日消息，据《韩国经济新闻》近日报道称，特斯拉为开发全新自研AI芯片，已经要求三星、SK海力士供应通用型HBM4芯片样品，预计会在测试样品后，选择其中一家做为供应商。
SK海力士推出全球首款48GB 16Hi HBM3E，下一代PCIe 6.0 SSD和UFS 5.0也正在开发中
11月5日消息，在SK AI Summit 2024上，SK 海力士领先三星和美光，发布了业界首款16层堆叠（16Hi）的 HBM3E内存，并确保“技术稳定性”，计划最早在明年年初提供样品。
为提升半导体研发力，韩国官员拟解除每周52小时工时限制
11月5日消息，据《韩国经济日报》报道，韩国执政党人民力量党透露，决定本周以国会产业通商资源中小企业委员会委员长李哲奎议员的名义，提出半导体支持法案，计划解除专业人员和高薪管理人员的工作时间限制规定，以满足韩国半导体业界希望的弹性工作时长的要求。
