SK海力士：今年不会减产，不确定是否会申请美国芯片法案补贴
3月30日消息，日前市场研究机构TrendForce发布报告称，为应对DRAM市场的持续下滑，美光、SK 海力士等存储大厂已启动 DRAM 减产。不过，据韩国媒体报导，SK 海力士联席CEO朴正浩最新回应称，预计2023年将不会进一步减产，并将会推进美国建设先进封装厂的计划，但不确定是否会申请美国芯片法案补贴。
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美国390亿美元芯片补贴申请限制升级，半导体企业面临中美选边站难题！
3月30日消息，据《华尔街日报》报导，根据美国“芯片法案”的相关规定，想要申请美国联邦资金补助的半导体企业可能将面临艰难的决定，因为如果接受美国资金补助在美国扩产，就需要限制他们在中国大陆进行扩产。
美光、SK海力士已启动减产！2023年二季度DRAM均价将再跌10%~15%，仍不见止跌信号
3月29日消息，据市场研究机构TrendForce发布报告称，为应对DRAM市场的持续下滑，美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）等存储大厂已启动 DRAM 减产，预计第二季 DRAM均价跌幅会收敛至 10%~15%（第一季跌幅近 20%）。不过下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM 均价下行周期尚不见终止，目前原厂库存水位仍高情况下，除非有更大规模减产，后续合约价才有可能反转。
美国芯片补贴申请新限制：未来10年禁止将在华先进制程扩产超5%，成熟制程扩产也要低于10%！
3月22日消息，据彭博社最新报导，美国拜登政府将针对申请《芯片与科学法案》配套的500多亿美元补贴的半导体制造商提出更严格限制，其中就包括限制在中国大陆发展的规定。
SK海力士发布300层堆叠NAND Flash
3月20日消息，在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash的原型，令与会者大吃一惊。
库存超百亿美元，三星、SK海力士一季度芯片业务恐亏损数十亿美元
3月20日消息，据韩国媒体The Korea Herald报道，由于存储芯片市场需求下滑，价格疲软，再加上库存水位过高，今年第一季度，韩国半导体巨头三星电子和SK 海力士的芯片业务恐面临数十亿美元亏损。
3D DRAM正加速商业化
3月20日消息，据韩国媒体businesskorea报道，全球DRAM领导厂商三星电子和SK海力士正在加快推进3D DRAM的商业化。有业内人士认为，3D DRAM将改变存储器行业的游戏规则。不过，在DRAM行业排名第三的美光自2019年以来就已经开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。
中美半导体对抗：压力下的供应链走向何方？
中美对抗之下的全球半导体供应链将走向何方？
韩国芯片厂商1月库存销售率升至1997年3月以来的新高
3月5日消息，据韩联社报导，韩国国家统计局于3月5日公布的数据显示，受市场需求疲软影响，韩国芯片厂商1月库存销售率升至265.7%，创1997年3月(288.7%)以来的新高。
美国商务部副部长：将对三星、SK海力士在华晶圆厂的发展设置上限！
2月27日消息，当地时间上周四，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹 (Alan Estevez)在美国战略与国际问题研究中心（CSIS）组织的“韩美经济安全论坛”上表示，在美国对华半导体出口管制新规出台之后，将禁止某些半导体技术进入中国大陆，虽然也会为在中国生大陆设厂的非中国大陆芯片制造商（三星、SK海力士等）设定配额，但将会对他们在中国大陆的发展设置上限。
原材料出现质量问题，SK海力士DRAM工厂出现生产事故
2月17日消息，据外媒报道，由于SK海力士使用的锆(Zr)基高K材料存在质量问题，本月SK海力士发生部分DRAM晶圆报废的工艺事故。至于具体损失如何，目前尚不清楚。
传Meta携手SK海力士、LGD合作开发MicroOLED
据知情人士透露，SK海力士即将与Meta签署开发与生产MicroOLED面板的合作协议，LG Display则已完成签署协议。根据协议内容，Meta负责设计MicroOLED面板所需的芯片，交由SK海力士代工制造，接著由LG Display进行最后步骤，将OLED沉积于晶圆上，切割成MicroOLED面板。
