业界 日媒:美国将延长三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂的“豁免期” 据日经新闻8月23日报道,据多位业界相关人士指出,美国已敲定方案,计划延长对外资在华晶圆厂进口美国设备的“豁免期”进行延长,但具体延长多久仍未确定,也有可能是无限制。2023年8月23日
业界 长江存储被制裁一年后,三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层! 2022年,美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash,但是在美方的制裁之下,长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下,这些国际大厂纷纷加速迈向300层,希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。2023年8月21日
业界 SK海力士HBM3e样品已供应NVIDIA,预计明上半年量产 8月21日,存储芯片大厂SK海力士宣布其开发出的HBM3e DRAM已经提供给英伟达(NVIDIA)和其他客户评估,并计划明年上半年量产,以巩固其在 AI 内存市场的领导地位。2023年8月21日
业界 三星与SK海力士半导体库存累计突破50万亿韩元! 8月16日消息,据韩国媒体Etnews报导,两大內存商三星和SK海力士最新公布的半年报显示,截至6月底,三星半导体业务DS部门库存金额为33.6896万亿韩元,SK海力士的半导体库存金额为16.4202万亿韩元,与2022年底时的库存金额相比分别增长了15.9%和4.8%。2023年8月16日
业界 9.6 Gbps!全球最快!SK海力士LPDDR5T通过联发科下一代移动平台验证! 8月11日消息,SK海力士于8月10日宣布,其新一代LPDDR5T(低功耗双倍数据速率5 Turbo)DRAM芯片已完成与联发科下一代移动平台(应该是传闻中的天玑9300)应用的性能验证。2023年8月11日
业界 2024年HBM供应量将同比大涨105%,销售收入将同比大涨127% 8月9日消息,据市场研究机构TrendForce最新报告指出,随着AI需求推动英伟达(NVIDIA)及其他云端服务业者(CSP)自研芯片持续追加定单,SK海力士等内存大厂也在增加TSV产线扩增HBM产能。从目前各原厂规划看,2024年HBM供给位元量将同比大涨105%,考察TSV扩产加上机台交期与测试时间合计可能长达9~12个月,TrendForce预估多数HBM产能要等到明年第二季才有望陆续开出。2023年8月9日
业界 SK海力士发布321层4D NAND Flash闪存样品,性能提升59%! SK海力士于8月8日宣布,借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品,使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。2023年8月9日
业界 存储芯片厂商持续减产,DRAM价格止跌 据日经新闻7月31日报导,面向智能手机、PC的消费量DRAM价格已经连2个月呈现持平(价格未下跌),主要是由于部分产品需求出现复苏迹象,加上多家头部的存储芯片大厂持续减产,市场上库存过剩情况已经得到了缓解,DRAM价格有触底的迹象。2023年8月1日
业界 Q2营业利润同比暴跌95%!三星宣布延长减产计划 7月27日,三星电子发布第二季度财报显示,该季营业收入为60万亿韩元,同比下滑22.28%;营业利润为6685亿韩元,同比下滑95%;净利润1.72万亿韩元,同比下滑84.5%,但较第一季度增长9.6%;这个业绩数据与三星本月7日公布的业绩快报(销售额60万亿韩元、营业利润6000亿韩元)基本持平。2023年7月27日
业界 Q2亏损近3万亿韩元!SK海力士宣布扩大NAND Flash减产!高端DRAM成增长亮点 7月26日消息,韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报,受益于人工智能 (AI) 的市场需求,带动了存储芯片的复苏,使得第二季的亏损较上第一季减少。同时,为了加速NAND Flash库存去化,SK海力士还宣布进一步减产NAND Flash。2023年7月26日
业界 SK海力士预计2024年HBM和DDR5销售额将翻番 7月21日消息,据业内人士透露,在最近一次非公开企业说明会上,SK海力士预计,2024年HBM和DDR5的销售额有望翻番。2023年7月21日
业界 传SK海力士将为苹果Vision Pro独家供应定制高速DRAM 7月11日消息,据韩国媒体BusinessKorea报道,韩国存储芯片大厂SK 海力士(SK hynix)将成为苹果公司最新推出的混合现实(MR)头显“Vision Pro”所需的定制DRAM的独家供应商。2023年7月11日