制造难度太大，三星推迟430层NAND Flash量产
6月17日消息，据韩国媒体ZDnet Korea 报导，面临复杂的内外部挑战，三星目前正就其下一代430层堆叠的V10 NAND Flash 的量产策略进行深度审慎评价，原预计于2025年下半年启动，现在则可能推迟到2026年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因，包括高堆叠层数NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。
美国逼迫越南制造“去中化”，46%关税成谈判筹码
6月16日消息，据路透社援引三位知情人士透露，美国在与越南的关税谈判中向其施压，要求越南降低在当地组装、出口至美国的产品中使用中国技术的比例。
HBM未来开发路线图揭晓：HBM8带宽将达到64TB/s
6月16日消息，据Tom’s hardware报道，韩国领先的国家研究机构 KAIST 近日发布了一份 371 页的论文，详细介绍了从目前到2038年间，高带宽内存 （HBM） 技术的演变，展示了HBM在带宽、容量、I/O宽度和散热方面的增加。路线图涵盖从HBM4到 HBM8的阶段，在封装、3D 堆叠、具有嵌入式 NAND 存储的以内存为中心的架构，甚至还包括基于机器学习的方法来控制功耗方面的研究。
Anker在美国召回超100万个移动电源
近日，国产移动电源及智能数码周边品牌厂商安克创新（Anker）通过官网宣布，由于存在“起火”等安全风险，将在美国召回旗下型号为 A1263 的 Anker PowerCore 10000 移动电源。相关报道称，召回数量预计将超过100万个。
江波龙携手Sandisk闪迪，共启高品质UFS合作新篇
2025年6月16日，江波龙与全球知名的存储解决方案提供商Sandisk（闪迪）在中山存储产业园签署合作备忘录（Binding MOU）。此次合作将深度整合双方优势资源，为客户带来高品质的UFS存储解决方案，助力客户推出市场差异化产品。
长鑫科技集团严正声明
6月16日下午，国产DRAM芯片大厂长鑫存储母公司——长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫集团”）发布声明称，近期，长鑫集团发现有不法分子假借长鑫集团名义，通过虚假招聘信息以及有奖链接活动进行招聘诈骗，严重损害了应聘者的合法权益，并对长鑫集团的声誉造成了不良影响。
马斯克：摄像头和激光雷达不能共用！
到底什么才是智能驾驶的最优解？马斯克认为，摄像头和激光雷达不能共用！因此，他给出的智驾最佳方案是：人工智能、数字神经网络和摄像头相结合。
苹果AI眼镜将采用模块化设计
6月16日消息，据科技媒体PatentlyApp报道，苹果已获得了一项涉及未来智能眼镜的专利，显示苹果智能眼镜可能将采用模块化设计。
传TP-Link上海WiFi芯片部门大裁员，补偿N+3
6月16日消息，据某职场社交平台知情人士爆料称，中国路由器厂商TP-Link（普联技术）外销主体公司TP-Link Systems（联洲国际）位于上海张江的WiFi芯片部门突然宣布重大裁员计划，该消息引发了业内的广泛关注。
三星获得AMD MI350系列HBM3E订单
6月16日消息，据韩国媒体Business Korea 报导，处理器大厂AMD于上周发布的全新人工智能（AI）芯片MI350 系列将搭载三星电子的12层堆叠的HBM3E高带宽内存。这对三星电子来是个好消息，因为该公司在英伟达的HBM 认证方面一直遭遇挫折。此外，AMD 将于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也对三星的HBM4 供应有所期待。
ASML EUV光刻之路还能走多远？
目前全球几乎所有的7nm以下的制程工艺都全面采用了ASML的EUV光刻机来进行量产，同时随着DRAM制程进入到10nm，美光、三星、SK海力士等存储大厂也开始或计划导入EUV光刻机。
一汽联手新紫光，共组车规芯片“高端局”
中国汽车工业的“长子”，联手半导体产业的“集团军”，会擦出怎样的火花？
