
12月5日消息,据彭博社报道,通用汽车已宣布将减记与上汽集团合资公司价值,并关闭部分工厂和产品线,以反映目前状况不佳的市场表现,再加上业务重整的支出费用,预计将面临超过50亿美元的损失。

耐人寻味的是名单中还有两家投资公司,分别为智路资本(Wise Road Capital)和建广资产(JAC Capital)。这是美国在围追堵截中国半导体实业的行径中,首次涉及投资领域。据美国内部报告披露,之所以将两家投资机构列入实体清单,源于美方的调研分析:两家企业的过往投资项目涉及对中国极为重要的、具备先进半导体制造能力的对象,有效助力了中国实现半导体制造生态系统的本土化,以及供应链的补齐和补强。

12月4日消息,美国微控制器(MCU)及模拟芯片大厂微芯科技(Microchip)已暂停申请美国“芯片法案”的补贴,成为了第一家退出的已获美国“芯片法案”补贴资格的公司。

2024 年12月4日, 活跃于全球并具有广泛技术组合的高科技设备制造商Manz 集团,领衔全球半导体先进封装趋势,凭借在RDL领域的优势布局,针对RDL增层工艺搭配有机材料和玻璃基板的应用,成功向多家国际大厂交付了300mm、510mm、600mm及700mm等不同尺寸的板级封装RDL量产线,涵盖洗净、显影、蚀刻、剥膜、电镀及自动化设备。同时,为跨领域客户快速集成工艺技术和设备生产,积极助力板级封装为基础的未来玻璃基板应用于人工智能芯片,让这一愿景变成现实。

12月4日消息,据《韩国经济新闻》报道称,传闻韩国存储芯片大厂SK海力士(SK Hynix)应重要客户的要求,将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。

12月4日,台积电将于明年下半年开始量产其2nm(N2)制程工艺,目前台积电正在尽最大努力完善该技术,以降低可变性和缺陷密度,从而提高良率。一位台积电员工最近对外透露,该团队已成功将N2测试芯片的良率提高了6%,为公司客户“节省了数十亿美元”。

12月4日消息,据Tom's hardware报道,三星将在即将举行的国际固态电路会议(ISSCC)上展示新的超过400层3D NAND Flash,接口速度为5.6 GT/s。

12月3日,英特尔发布全新英特尔锐炫B系列显卡(代号Battlemage)。英特尔锐炫B580和B570 GPU将以备受玩家青睐的价格提供卓越的性能与价值,很好地满足现代游戏需求,并为AI工作负载提供加速。其配备的英特尔Xe矩阵计算引擎(XMX),为新推出的XeSS 2提供强大支持。XeSS 2的三项核心技术协同工作,共同提高性能表现、增强视觉流畅性并加快响应速度。
12月4消息,亚马逊网络服务(AWS)于当地时间周二在“re:Invent”大会上发布了其下一代人工智能加速器 Trainium3,该加速器将于2025年年底上市,性能将比上一代产品高 4 倍。

当地时间12月3日,美国芯片设计公司Marvell公布了2025会计年度第三季(截至2024年11月2日)财报,由于业绩大超预期,盘后大涨10.16%至105.65美元。

12月4日消息,近日,中国汽车芯片产业创新战略联盟发布第二批汽车芯片白名单(以下简称白名单2.0)。