日期 2025 年 6 月 29 日

延续摩尔定律!东京大学研发“掺镓氧化铟晶体”取代硅材料

6月29日消息,据scitechdaily报道,在2025 年 VLSI 技术和电路研讨会上,东京大学工业科学研究所的研究人员发布了一篇题为《通过InGaOx的选择性结晶实现环绕栅极的纳米片氧化物半导体晶体管,以提高性能和可靠性》的论文,宣布开发一种革命性的新型的掺镓氧化铟(InGaOx)的晶体材料,有望取代现有的硅材料,大幅提升在AI 与大数据领域应用的性能,并在后硅时代延续摩尔定律的生命力。