
三星完成400层NAND Flash开发,最快2025年二季度末量产
12月9日消息,根据韩国媒体BusinessKorea报道称,三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时,三星也自上个月开始,将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成,将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置,将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。









针对近期有媒体炒作国产NAND Flash芯片大厂长江存储将“借壳上市”一事,1…


