
三星完成HBM4逻辑基础裸片设计,采用自家4nm制程
1月5日消息,据《朝鲜日报》报导,三星设备解决方案(DS)部门的內存业务部最近已经了完成HBM4高频宽內存逻辑芯片的设计,三星Foundry业务部门也已经根据该设计,采用4nm制程进行了试产,在完成逻辑基础裸片(Logic Base Die)的最终性能验证后,三星将正式提供HBM4样品验证。







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