传铠侠明年将量产332层NAND Flash

12月11日消息，据日经新闻报道称，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）将在2026年开始生产332层的第10代NAND Flash，抢占AI数据中心需求。

报道称，铠侠将在2026年利用北上工厂（岩手县北上市）的第二晶圆厂（K2）开始生产新一代NAND Flash产品，目标抢攻AI数据中心需求。铠侠将生产的产品为被称为“第10代”的NAND Flash，其存储单元（Memory Cell）的堆叠数从目前第8代的218层将增加至332层，每单位面积的储存容量提升59%、数据传输速度改善33%、并且降低了耗电量。

受该消息影响，铠侠的合作方Sandisk 的股价在12月10日大涨6.11%，收于232.86美元/股。

编辑：芯智讯-林子