8月14日消息，据业内消息，国产存储厂商长鑫存储CXMT）大规模设备投资已经重启，计划引进大量新设备扩大产能，以量产最新DRAM DDR5，并在此基础上开发HBM3高带宽内存产品。

消息称，长鑫存储第三季开始下订设备，于安徽省合肥市生产基地建立产线。 长鑫存储最初告知设备供应商，年初开始订购新设备大幅提升产能。 但受DDR4停产及美国可能有更严格出口禁令影响，新设备延后进厂。

根据预计，长鑫存储2026年HBM产能有可能将达每月5万片晶圆，相当于三星和SK海力士2026年HBM产能的20%~25%。 在2025年第一季度的DRAM市场，长鑫存储称产能已经占据了全球DRAM市场约6%的份额。

由于美国对华出口限制，中国大陆获取HBM3及更高端的HBM受限。据英国《金融时报》报道称，中美贸易谈判中，中方要求美方放宽HBM出口管制。

在此背景之下，长鑫存储也在加速推进HBM的国产化。据了解，目前长鑫存储已经完成了HBM2的开发，并加速推进HBM3的开发和量产。为此，长鑫存储已经开始停产DDR4，并将原有DDR4设备升级至DDR5产线。但是由于美国考虑将长鑫存储列入实体清单的限制，迫使长鑫存储的设备进口延期。

从目前来看，长鑫存储的研发中HBM依旧大幅落后于SK海力士、三星等厂商，目前三星和SK海力士正在使用10纳米级1b制程DRAM生产HBM3e，并准备利用1c制程DRAM生产HBM4。 市场人士指出，长鑫存储HBM商业化和进入市场还需要相当长时间，对2026年HBM市场影响有限。

编辑：芯智讯-浪客剑