ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响

11月8日消息，致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。

去年5月，EPC在ITC对英诺赛科提起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’508号专利和US’294号专利。今年7月，ITC行政法官作出初步裁定，认定英诺赛科没有侵犯EPC的US'508号专利的权利要求1（该专利中唯一被EPC用来主张权利的权利要求），而今天，ITC的最新终裁决定再次确认英诺赛科没有侵犯该US’508号专利，这对英诺赛科来说是一个巨大的胜利。

然而，终裁决定维持了行政法官初步裁决中认定的侵犯了US'294号专利权利要求2和3的部分情形。因此，ITC将决定发布有限排除令，禁止英诺赛科将某些被指控的芯片作为直接产品出口到美国。英诺赛科不同意这一裁决，并将对此进一步提出上诉。这至少是因为US'294号专利本身的权利基础是不稳定的，被无效的可能性很大。事实上，美国专利商标局（“USPTO”）以四种不同的理由对US'294号专利的所有权利要求进行了双方复审（“IPR”），并同意英诺赛科的无效论点。US'294号专利的IPR无效审查决定将于2025年3月发布。

英诺赛科还指出，根据美国法律规定，有限排除令并不禁止英诺赛科的客户将使用被指控芯片的终端产品进口到美国市场。此外，由于终裁决定澄清了“补偿GaN层”这一权利要求术语的含义，而这正是双方围绕US'294号专利争议的核心，因此也为英诺赛科提供了明确的规避设计指导，通过避免使用“补偿GaN层”这一技术特征，就可以实现对US'294号专利的规避。目前英诺赛科已经完成了规避设计方案，并将很快发布规避设计后的新产品。

因此，EPC诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。此外，英诺赛科将继续通过法院上诉程序和美国专利商标局的无效程序来推动解决与EPC的纠纷，并有信心取得最终的完全胜利。

关于英诺赛科

英诺赛科成立于 2015 年，目前已经成为全球最大的 氮化镓半导体器件IDM（全产业链模式）制造商，集成并简化了包括设计、制造、封装、电路应用和销售在内的所有流程，持续引领氮化镓技术前沿。我们开发出的产品覆盖从低压30V到高压700V的全电压等级范围。英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造能力，这能够显著降低我们的生产成本。