投资25.4亿美元，俄罗斯计划2030年实现70%半导体设备及材料的国产替代

10月3日消息，据俄罗斯媒体CNews报道，俄罗斯政府已拨款超过 2400 亿卢布（25.4 亿美元）支持国产半导体制造所需设备、工具及原材料研发，目标是到 2030 年实现对外国半导体制造设备及材料的70%的替代。

报道称，该计划涉及启动了 110 个研发 （R&D） 项目，以减少对进口半导体制造设备的依赖，并最终实现 28nm 级制程工艺芯片的国产化。但是相对于庞大且复杂的半导体制造设备及材料产业链来说，25.4 亿美元资金投入显然是不够的。

目前俄罗斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能够生产的最先进的制程工艺依然停留在65nm或90nm等成熟节点，并且大量依赖于国外的半导体制造设备，尤其是光刻设备。据统计，在俄罗斯用于芯片的 400 种设备中，目前只有 12% 可以在当地生产。

自2022年2月俄乌冲突爆发后，美国、欧盟、日本、新加坡、韩国、中国台湾等地就相继出台了针对俄罗斯的半导体的出口管制，这些措施不仅使俄罗斯进口相关芯片变得困难，同时相关半导体制造设备的进口更是难上加难。报道称，这些限制措施使得俄罗斯关键半导体设备获取成本提升了 40% – 50%，因为必须通过走私途径才能进入到俄罗斯。

因此，为了降低成本并减少对于国外半导体制造设备的的依赖，俄罗斯工业部 （Minpromtorg） 和贸易部以及 MIET（一家政府控制的公司）制定了一项计划，重点是为微电子生产所需的大约 70% 的设备和原材料开发国内替代品。

据了解，该计划涵盖了芯片制造的各个方面，包括实际制造所需的设备、原材料和电子设计自动化 （EDA） 工具等。该项目将开发“20 条不同的技术路线”，例如从 180nm 到 28nm 的微电子学、微波电子学、光子学和电力电子学。一些开发的技术也将用于光掩模生产和电子模块组装。

虽然该计划的战略目标看起来很明确（到 2030 年以 25.4 亿美元的价格实现 70% 的芯片制造设备和原材料的国产化），但具体的细节却相当模糊。

预计到 2026年底，将会是一个重要里程碑之一，即完成用于 350nm 和 130nm 工艺技术的光刻设备和用于 150nm 生产节点的电子束光刻设备的开发。此外，俄罗斯还计划在几年内通过化学气相沉积设备发展其外延工艺。同时，俄罗斯工业部希望到 2026 年底，俄罗斯国内半导体行业能够自主生产硅锭并将其切割成硅晶圆。

更远期的目标是，到2030年，俄罗斯能够自主生产65nm或90nm制程晶圆的国产光刻系统，这将显著提高该国生产微电子产品的能力，但仍将落后于目前全球行业领先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024会议期间，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告诉塔斯社记者称，俄罗斯首台国产光刻机已经制造完成，并正在泽列诺格勒进行测试，该设备可确保生产350nm的芯片。

编辑：芯智讯-浪客剑