传三星3nm良率已提升3倍，第二代3nm的PPA有望赶上台积电N3P

3月22日消息，知名爆料人Revegnus 通过社交平台X爆料称，三星的3nm制程良率一开始虽然只有10~20%，但最近良率已经拉升至原来的三倍以上，即良率最高已经达到了60%，未来整体表现有机会追上台积电。

虽然目前三星3nm GAA（环绕栅极）制程良率大幅提高，但依旧低于使用现有“鳍式场效”（FinFET）制程的台积电3nm工艺。但三星对其第二代3nm制程期望甚高，据传其性能、功耗及面积（Performance、Power、Area，简称PPA）表现出众，有传闻暗示可以赶上台积电的N3P。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3nm制程的能源效率（power efficiency）、逻辑区域（logic area）都比上一代的4nm FinFET改善20~30%。

值得注意的是，据韩国媒体TheElec报导，三星共同执行长庆桂显（Kyung Kye-hyun）3月20日在年度股东大会预测，今年的半导体相关营收有望重返2022年衰退前的水位。

庆桂显指出，存储业务已于今年1月已转亏为盈，今年将彻底恢复元气，除了高频宽內存（HBM）外，三星公司也在针对开放性高速互连通讯协议CXL（Compute Express Link）、內存处理器（Processor In Memory，PIM）跟客户接洽，结果很快就能出炉。

三星晶圆代工事业总裁崔时荣（Siyoung Choi）在同一场合表示，虽然英特尔开始谈论1.4nm制程，但三星及台积电也都有相关制程规划。他说，客户需要的是能稳定供应、产品具竞争力的晶圆代工商，三星4nm制程的良率已成熟。

崔时荣还表示，三星第二代3nm制程预计今年下半投产，2nm制程的投产时间则是明年。

编辑：芯智讯-林子