美国政府再度向格芯提供3500万美元资助，提升氮化镓芯片供应能力

11月1日消息，晶圆代工大厂格芯（GlobalFoundries）已经从美国政府手中获得了3,500万美元的联邦资金资助，以加速该公司位于美国佛蒙特州Essex Junction的晶圆厂对于第三代半导体——氮化镓（GaN）的大规模量产。

GaN芯片在处理高电压和高温环境能力方面表现突出，使其能为基础设施、手机、汽车、工业物联网（IoT）、电网和其他关键基础设施的5G和6G通信提供出色的性能和效率。

此前美国国防部Trusted Access Program Office（TAPO）给予的31亿美元新资金，格芯计划购买额外的工具，以扩大开发和设计能力，更接近大规模生产8英寸GaN晶圆。做为投资的一部分，格芯计划实施新的计划，以减少公司及其客户对镓（Ga）供应链限制的风险，同时提高美国制造的GaN芯片的速度、供应能力和竞争力。

格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示，GaN是高性能射频、高压功率开关等新兴市场的控制应用理想技术，将对6G无线通信、工业物联网和电动汽车产生重大的影响。而格芯与美国政府有着长期的合作伙伴关系，这笔资金对于使GaN芯片能更接近大量生产阶段。另外，这些芯片也将使格芯的客户能够达成大胆的新设计，进一步突破每天所依赖关键技术的能耗和性能极限。

格芯位于美国佛蒙特州伯灵顿附近Essex Junction的晶圆厂为美国最早的主要半导体制造基地之一。如今，约有1,800员工在此地工作。在此格芯晶圆厂所制造出来的芯片将被用于世界各地的智能型手机、汽车和通信基础设施上。另外，该晶圆厂是也DMEA认证的可信赖晶圆厂，用以与美国国防部合作生产安全芯片，应用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统上。

编辑：芯智讯-林子