五种新兴存储技术，其中 MRAM 处于领先地位！2033年销售收入将达9.8亿美元

9月7日消息，近日两位半导体分析师撰写了一份新兴存储器报告，认为 MRAM 在需要实时处理和分析数据的边缘计算设备中具有取代 SRAM 和 NOR 闪存的良好前景。

Coughlin Associates 的 Tom Coughlin 和 Objective Analysis 的 Jim Handy 对五种新兴存储技术，包括MRAM、相变存储器 ( PCM )、铁电 RAM ( FERAM )、电阻式存储器RAM ( ReRAM ) 和 NRAM/UltraRAM的前景进行了 272 页、30 个表格的分析。这些通常是非易失性存储器，具有 DRAM 数据访问速度和增加密度的路线图，有望超越 NAND 和 NOR 的扩展限制，并且比不断刷新的 DRAM 和 SRAM 使用更少的电力。

△新兴存储技术报告图表

Tom Coughlin写道：“随着物联网的发展，以及越来越多的设备对以前无法测量的数据进行新的测量，世界的数据处理需求将呈指数级增长，包括使用这些设备的数据进行人工智能训练和推理。尽管采用了 5G 等新的无线标准，但这种增长将无法与通信带宽的增加相匹配。”

这意味着数据需要在生成的地方以及必须应用分析结果的地方（物联网边缘位置）进行处理。考夫林写道，边缘站点和远程数据中心之间的通信链路将太慢，远程数据中心无法在所需的实时和近实时时间限制内完成工作。

英特尔最坚定地尝试普及新兴内存技术，其基于PCM技术的Optane 3D-XPoint。由于编程需求的复杂性和成本，该方案失败了。生产Optane芯片的成本基本上是生产设备和材料成本除以芯片产量数量。

半导体制造的本质是产量越高，成本越低。

有了傲腾（Optane），英特尔本可以根据更高的产量来定价其芯片并销售更多芯片，尽管成本将高得惊人，但他会减少数据丢失。这就是正在出现的内存生产成本陷阱。高销量需要基于昂贵工厂的高产量的低价格。但供应商一开始的产量较低，这意味着芯片成本较高，并且必须承担损失，直到销量上升到足以证明产量增加的合理性，从而降低了每块芯片的成本。

不能保证销量会足够增加，因此制造商可以随着时间的推移销售足够的芯片以证明产量增长是合理的。但傲腾并没有发生这种情况，这也使得英特尔及其制造合作伙伴美光公司终止了该产品。

Tom Coughlin 和 Jim Handy 确定的五种新兴存储技术从时间意义上来说都不是那么新，但它们都还没有跨越鸿沟进入大规模生产。两人认为 MRAM 及其近亲 STT-RAM 最有可能得到广泛应用，其中 MRAM 的机会最大。