美国芯片法案再设限：受补助企业将禁止扩大在中国大陆投资

7月19日消息，据彭博社报导，美国参议院当日已开始对拥有520亿美元配套补贴的“芯片法案”进行辩论投票。而在美国参议院版本的“芯片法案”的草案当中，明确要求接受美国“芯片法案”补贴的半导体企业，在未来十年内禁止在中国大陆新建或扩建先进制程的半导体工厂。该草案已获得美国白宫方面的支持，或将使得台积电、三星、英特尔、环球晶圆等厂商后续在中国大陆的投资受阻。

报导引用白宫新闻秘书Karine Jean-Pierre 说法称，美国支持建立强力“护栏”，“芯片法案”补助的半导体企业将被限制在中国大陆投资。芯片法案补助措施目的在投资美国，而不是投资中国。“护栏”有助于减缓中国半导体产业成长，这也是法案重要部分，相信强大“护栏”能维持现状。

彭博社与金融时报引述草案内容指出，若半导体企业企业获得补助在美国建厂，未来十年将不得扩大在中国大陆的28nm以下先进制程芯片制造业务，但能继续投资于“传统”芯片制造，虽却并未定义“传统”一词。

业界指出，台积电、英特尔、三星、环球晶圆都已在大陆耕耘多年，也都已经开始或已经宣布了在美国的建厂计划，并且都在努力争取美国政府的补助，以缓解在美国建厂制造半导体所面临的高昂的成本压力。但是，现在美方要求赴美设厂的业者如果获得补贴将不得在扩大在中国大陆进行先进制程的投资，等于封锁这些半导体巨头在大陆扩张的道路。

台积电、英特尔、三星、环球晶圆都已在大陆设厂多年，其中以三星在西安投资的闪存（NAND Flash）工厂最受瞩目，该厂投资庞大，也是以最先进的制程生产，美方的“芯片法案”补贴限制如果落实，三星恐将成为最大输家，其整个西安厂未来投资恐将停摆，损失惨重。当然，三星也可以选择放弃美国的补贴，那么其美国晶圆厂也将会成本大增，竞争力减弱。

台积电在中国大陆共有上海松江与南京两座工厂，以成熟制程晶圆代工为主力，两座工厂全年获利在台积电总获利当中的占比约为3%。美方的补贴限制对台积电而言，最大的限制在于，未来台积电如果要在大陆发展更先进的制程也将受阻，特别是在中国大陆IC设计厂制程越来越先进的情况下，不利于就近接单，服务客户。

对于英特尔来说，由于此前已将旗下的大连闪存厂卖给了SK海力士，现在英特尔大陆布局以封测厂为主，分布在上海、成都等地。美方的补贴限制恐将使得未来英特尔无法在大陆落地晶圆制造厂，与台积电在大陆进行竞争。对于美国政府就“芯片法案”的补贴限制，英特尔等企业还在与政府磋商中。

环球晶圆在中国大陆昆山有设厂，主要负责小尺寸矽晶圆的切磨抛业务，占整体业绩比重低。环球晶圆表示，尚不清楚法案内容，无法评估对公司影响。

英国金融时报报导称，民主党幕僚表示，参院多数党领袖舒默计划推动同僚批准该版本520亿美元的“芯片法案”，内容也将包括其他法案的元素，包括提供建厂减税优惠的“晶圆厂法案”（Fabs Act）、以及建设5G网路的15亿美元资金。

目前，芯片法案限制半导体企业赴中国大陆投资的内容仍在讨论，也是半导体产业大力游说的目标。《Politico》先前报导，半导体大厂英特尔和美国半导体协会（Semiconductor Industry Association）皆反对这项限制，也一直在游说美国政府。

编辑：芯智讯-林子