国内首条！28/22nm ReRAM 12吋产线试产

2月17日消息，据杭州日报报导，由昕原半导体(杭州)有限公司(以下称“昕原半导体”)主导建设的国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12英寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

目前，全球主流的新型存储器技术主要有PCM(相变存储器)、FeRAM(铁电存储器)、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)。相较于其他几项新型存储器技术而言，ReRAM的材料需求种类和额外的光罩数量更少，可以实现更低的生产成本。同时，业界普遍认为ReRAM能够充分满足神经形态计算和边缘计算等应用对能耗、性能和存储密度的要求，预期将在AIoT、智能汽车、数据中心、AI计算(存算一体)等领域获得广泛的运用。

“我们从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量，非常看好ReRAM存储器的技术及商业发展前景，所以把它作为我们的研发重点！”昕原半导体相关负责人表示。

新型存储器的核心，是在其开发中需要在传统CMOS工艺里增加一些特殊的材料或工艺，这些特殊材料或工艺的开发则需要经过大量实验及测试验证。

传统CMOS代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的12英寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12英寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

“作为大陆首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线，我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产，将极大带动我国新型存储行业发展。”昕原半导体相关负责人表示，“而在这一领域，目前国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。”

存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外，还有多种技术选择，ReRAM(非易失性阻变式存储器)就是其中一种，其写入寿命可达100万次，此前主要是生产难度大，现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线。

传统CMOS代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的12寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻变存储器）12英寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快， 产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

“作为大陆首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线，我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产，将极大带动我国新型存储行业发展。”

昕原半导体相关负责人表示，“而在这一领域，目前国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。”

编辑：芯智讯-林子  综合自网络