长鑫存储今年DRAM产能将达12万晶圆/月，还将推出17nm DDR5

1月14日消息，在2021年，国产DRAM内存芯片厂商合肥长鑫的DRAM产能已达6万晶圆/月，预计今年的产能将翻倍，达到12万晶圆/月的水平，同时还将推出更先进的17nm工艺DDR5/LPDDR5等内存芯片。

据介绍，合肥长鑫存储作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片，2019年Q3季度量产，2020年多款国产内存已经用上了长鑫的颗粒。

产能方面，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。

国产内存今年的产能目标在全球是什么水平？此前TrendForce预测，2021年底全球内存产能将达到150万晶圆/月，三星产能超过55.5万晶圆/月，SK海力士是36万片晶圆/月，美光也有35.5万晶圆/月。

如果今年内国产内存产能如期建成，那么合肥长鑫能进入全球第四，不过与前三名的差距还很大。

当然，国产内存扩增产能依然是好事，用网友的话说就是国内有自己的内存芯片生产，就不怕别人的内存厂失火、断电、地震等灾难了。

除了产能扩增，国产内存的技术水平也在追赶，目前长鑫量产的主要是第一代10nm级别工艺10G1，实际水平应该是19nm，主要以DDR4、LPDDR4为主，2020年报道中提到研发17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存，这是10G3代工艺，未来还有10G5工艺，除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。

来源：快科技