赛微电子：青岛GaN外延晶圆目前的产能为1万片/年；青州GaN芯片产线首期的规划产能为5000片/月

8月16日消息，赛微电子（300456.SZ）于15日在投资者互动平台透露，公司青岛GaN外延晶圆目前的产能已达1万片/年；青州GaN芯片产线首期的规划产能为5000片/月。

2018 年 6 月，赛微电子在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延 材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期） 已于 2019 年 9 月达到投产条件，正式投产。

2018 年 7 月，赛微电子在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微 波器件的设计、开发。

作为赛微电子 GaN 业务一级平台公司， 截至目前，聚能创芯在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

今年4月，赛微电子发布公告称，其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司（以下简称“聚能创芯”）拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》，共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司（以下简称“聚能国际”）。

聚能国际主要从事 6-8 英寸 GaN 芯片的晶圆制造，将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设，且已经锁定成套热线设备、目标是在 2021 年内建成并做好投产准备。

赛微电子与青州市人民政府签署了合作协议。斥资10亿元，拟在在青州经济开发区分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

据悉，项目总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5,000 片/月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12,000 片/月的生产能力。

项目一期计划建设周期为 9 个月，2021 年底前做好投产前准备，2022 年 上半年投入生产，一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元，利税 8,000 万元。

编辑：芯智讯-林子