中国存储产业超车有望：传美光助攻武汉新芯将合体紫光

导读：中国扩张半导体产业，被视为重点项目的存储器可能再出现新局，统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，且现在不只获飞索半导体（Spansion）在 3D NAND Flash 的技术授权，还可能得到大腕美光（Micron）的协助。

中国扩张半导体产业，被视为重点项目的存储器可能再出现新局，统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，且现在不只获飞索半导体（Spansion）在3DNANDFlash的技术授权，还可能得到大腕美光（Micron）的协助。

　　双方各有强项，整合出存储器中国国家队

科技新报取得消息，中国武汉新芯将与紫光集团将连手，共同发展存储器。

武汉新芯已经有两万片的12寸厂规模，加上新厂已经开始动工，适合作为生产的基地，节省紫光从头开始的时间，也间接克服紫光也没有半导体制造人才团队的问题。

紫光集团旗下的紫光国芯，去年八月取得中国唯一的DRAMIC设计公司西安华芯控股权。加上紫光集团的资金募集、活动力惊人，也有华亚科前董事长高启全助力。

紫光与武汉新芯的整合，不仅在生产团队、既有半导体厂基础、IC设计团队、民间资金、国家基金都产生更大的实力。也加大了跟技术授权来源美光的谈判优势。

▲NandFlash市占率图（Source：DRAMeXchange）

　　将华亚科模式套用在NANDFlash上

更进一步地，传闻中国方已与内存大厂美光（Micron）洽谈技术合作事宜，武汉新芯与紫光获有机会取得美光在NandFlash的技术授权。

由中国提供资金建厂，美光授权技术，以华亚科模式进行生产NandFlash！所谓的华亚科模式，就是美光提供生产技术，合作方股东出大量资金建厂。美光可以在不出钱的情况下，取得技术授权金与分享产能的回馈。

　DRAM还是Flash？

以美光而言，选择技术授权NandFlash而非DRAM会是合理的方案。

一、美光也会想维持DRAM寡占格局，以及市场无需大量新产能

DRAM长期以来供过于求的市况近期终于转佳，各家大厂在寡占格局下，试图维持平衡不贸然扩产，为免重启流血价格战。

二、NandFlash需求仍快速增长，有扩产需要

在SSD需求高涨下，NandFlash、尤其是下一世代主流3DNandFlash尚处快速长步阶段。市场未来仍然需要新产能与更多的产出。包含三星、东芝、SK海力士都在扩充3DNandFlash的产量。透过技术授权，除了能取得一定的授权金，美光也能取得更多的产能维持自家的市占率与研发基础。

▲SSD在PC渗透图（Source：NomuraSecurities）

三、美光技术、资金实力皆须藉助外力

美光的NandFlash、DRAM技术、产能，事实上现在在存储器产业都属于落后班。虽然以最近他的约当现金（约当现金是指短期且具高度流动性之短期投资，因其兑现容易且交易成本低，因此可视为现金）来看有46亿美金之多，但是后面一年的营运预估约当现金会降到30亿美金的水位。距离他的历史低位不远，也没有额外的能力扩厂。

▲NandFlash厂营业利润率（Source：Nomura）

尤其在三星、Toshiba、SKHynix都在积极转进3DNANDFlash，也在扩产时。美光的落后状态对于未来相当不利。这时有愿意提供无风险华亚科模式的Flash厂，就犹如天上掉下来的礼物了。

武汉新芯为中国政府选定统筹国家整体存储器产业发展的根据地，日前位于武汉东湖高新区的厂区正式动土，其所规划产能到2030年高达100万片，一开始就锁定3DNandFlash，目标追上与存储器大厂之间的距离，然目前武汉新芯仅取得飞索半导体（Spansion）的技术授权，据悉，Spansion实验室产品堆栈尚在8层、10层左右，估计2017年量产32层堆栈产品，然目前堆栈技术已来到48层，以目前技术要能追上各家大厂实有一定难度。倘若获美光的技术支持，或有一线转机。

　　高层人士将异动

由于两个集团在NandFlash上的合作，资金庞大、团队人数高，并且有高难度的涉外谈判。因此领导体系，必需有明确的指挥。因此也传出紫光集团董事长赵伟国、大基金总经理丁文武可能扮演重要角色，而新芯董事长杨士宁等可能有异动。不过因为背后的政治系统复杂，仍有许多变数。

　　对台湾地区、存储器产业的影响

紫光加武汉新芯的存储器国家队在与美光的谈判中，NandFlash会是首先的要角。至于后续的DRAM，或是入股美光的可能性也都触及。

不过由于美国也正在进入史上最敏感的总统大选，未来政治走向如何？产业、美光也都战战兢兢的在观望。存在的变量甚多。如果第一步仅是NandFlash对中国的技术授权、生产，那么对华亚科、南科的冲击将不大。

来源： Technews科技新报编辑：芯智讯-林子