为追赶台积电，传三星拟砸逾100亿美元赴美建先进制程晶圆厂

1月25日消息，据彭博近日披露，韩国三星电子考虑斥资逾100 亿美元在美国兴建最先进逻辑晶片厂，盼拿下更多美国订单，及迎头赶上对手台积电。

彭博引述消息人士报导，全球最大记忆体晶片和智慧型手机制造商三星电子目前正讨论在德州奥斯汀（Austin）设厂，未来将能够生产3奈米先进制程晶片。三星投资计画目前还在初步阶段，可能还会有变化。

这座新厂目前目标是今年动工，明年起安装主要设备，最早2023 年开始生产。投资金额可能有变，但从计画来看，投资规模至少100 亿美元。

由于美国政府齐心协力对抗中国经济势力崛起，以及吸引一些过去数10年将重心转向亚洲的先进制造业者返国，三星电子利用情势大力在美投资。美方希望这类回流的制造基地可以带动地方商机，同时支持美国产业和晶片设计业。

另一方面，美国半导体业巨擘英特尔（Intel）的先进晶片制程不断遇阻，未来至少有部分晶片生产恐得仰赖台积电和三星，凸显了亚洲晶片业巨擘近年来突飞猛进的发展。

彭博引述未具名消息人士表示，三星计画中的新厂将是他们在美国首座采用极紫外光（EUV）微影制程的晶片厂。极紫外光是下一代晶片标准制程。

三星电子在彭博询问美国设厂消息时，以电邮回覆表示，公司尚未做成决定。

韩国券商HMC Securities 资深副总裁葛瑞格‧卢（Greg Roh，译音）表示：“三星若真要实现在2030 年以前成为顶尖晶片制造商的目标，就必须在美国大力投资，以迎头赶上台积电。”

“台积电的亚利桑那州厂很可能持续朝3奈米制程迈进，三星的厂也可能一样。目前一大挑战是确保取得极紫外光制程设备，因为海力士（Hynix）和美光（Micron）也想采购这些设备。”