长江存储64层堆栈3D NAND闪存量产！

在上周的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D NAND闪存。今天（9月2日），长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。

据介绍，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，即每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的3D闪存。长江存储表示，该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。而这主要得益于长江存储自主研发的Xtacking架构。

当前，NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准，分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi，去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。第二种标准是三星/东芝主推的Toggle DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不过，大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的I/O速度。

而长江存储的Xtacking架构成功将I/O接口的速度提升到了3Gbps，实现与DRAM DDR4的I/O速度相当。

据悉，Xtacking架构可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

官方称，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度（长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%）。

在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，通过将Xtacking架构引入批量生产，能显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

作为集成器件制造商，成立于2016年的长江存储提供完整的存储解决方案及服务，并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。长江存储称，将持续投入研发资源，确保产品市场竞争力。程卫华表示，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。

另据了解，2020年底长江存储的64层3D NAND闪存的产能有望提升至6万片晶圆/月的规模。2020年会跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈，进一步缩短与三星东芝等公司的差距。

编辑：芯智讯-林子