长鑫存储正加速布局DDR6

7月20日消息，据韩国媒体《ETNews》报导，为了确保从DDR5到DDR6的过渡顺畅且高效，中国DRAM大厂长鑫存储（CXMT）已引进新的制造商，考虑放弃现有用于DDR4与DDR5的生产模式，转而采用面板级（Panel-based）制程。

业界预计，DDR6内存将于2028年至2029年间迈入商业化阶段。然而，韩媒传出消息称，长鑫存储及其供应链已提前展开布局，企图赶在三星电子与SK海力士进一步巩固市场垄断地位之前抢占先机。

报道称，韩国封装基板及导线架大厂海成DS（Haesung DS）将作为长鑫存储供应链的新成员，已于2026年第一季通过客户针对DDR5封装基板的最新质量验证。

过去DDR4与DDR5的生产，主要依赖一种名为“Reel-to-Reel”的高性价比制程。然而到了DDR6阶段，海成DS开始采用全新的面板级制程。该方法能支持下一代内存所需的多层设计，协助维持生产效率并避免技术瓶颈。理论上，现有的“Reel-to-Reel”制程虽然也能用于DDR6制造，但随着电路层数增加，其获利能力与生产效率也会下降，这使面板级制程成为更为稳健的选择。

另外，近期消息显示，苹果、戴尔、惠普等美国科技大厂都有考虑采用长长鑫存储的DRAM芯片，并已经开始内部测试。这无疑也将成为长鑫存储加速DDR6研发的重要动力。

编辑：芯智讯-浪客剑