
4月3日消息,据韩国媒体The Elec报道,三星的首条8英寸氮化镓(GaN)晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段,初期收入预计将保持在1000亿韩元以下。
报道指出,三星已建立起涵盖除芯片设计外所有内容的综合GaN解决方案生态系统,并具备独立生产GaN外延晶圆生产能力。
此外,三星计划在今年内启动碳化硅(SiC)功率半导体代工线的运营。该公司在碳化硅细分领域具备端到端能力,包括设计,能够在不同电压范围内补充氮化镓技术。
此前报道还披露,三星已投资约1000亿至2000亿韩元的先进工艺设备,包括Aixtron的MOCVD系统,以支持硅镓和氮化镓晶圆的加工。
编辑:芯智讯-林子
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